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International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference
International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference
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1.
A single-pass, in-situ planarization process utilizing TEOS for double-poly, double-metal CMOS technologies
机译:
一种利用TEOS进行双聚,双金属CMOS技术的单遍,原位平面化工艺
作者:
Mehta S.
;
Sharma G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
2.
Premetal planarization using spin-on-dielectric
机译:
使用旋转电介质的前齿性平坦化
作者:
Whitwer F.
;
Davies T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
3.
Modeling the fringe capacitance of multilevel VLSI interconnects
机译:
模拟多级VLSI互连的边缘电容
作者:
Dunlop L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
4.
Directional deposition of dielectric silicon oxide by plasma enhanced TEOS process
机译:
等离子体增强TEOS工艺定向沉积介电氧化硅氧化物
作者:
Hsieh J.J.
;
Ibbotson D.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
5.
High performance multilevel interconnection system with stacked interlayer dielectrics by plasma CVD and bias sputtering
机译:
具有等离子体CVD堆叠层间电介质的高性能多级互连系统,偏置溅射
作者:
Abe M.
;
Mase Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
6.
A triple metal interconnection process for CMOS technology
机译:
CMOS技术的三金属互连过程
作者:
Cagnoni P.
;
Gualandris F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
7.
A fine process control on the via hole of multilevel interconnection
机译:
多级互连通孔的精细过程控制
作者:
Saito S.
;
Takenaka N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
8.
Field transistors electrical behaviour in double level aluminum interconnect processes
机译:
双层铝互连过程中的现场晶体管电气行为
作者:
Deleonibus S.
;
Arena C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
9.
TiN-encapsulized copper interconnects for ULSI applications
机译:
ULSI应用的锡封装铜互连
作者:
Hoshino K.
;
Yagi H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
10.
Step coverage prediction in plasma-enhanced deposition of silicon dioxide from TEOS
机译:
从TEOS的等离子体增强沉积的等离子体增强沉积的步骤覆盖预测
作者:
Raupp G.B.
;
Cale T.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
11.
Planarized aluminum deposition of TiW and TiN layers by high temperature evaporation
机译:
通过高温蒸发平坦化铝沉积TiW和TIN层
作者:
Georgiou G.E.
;
Cheung K.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
12.
Improved excimer laser planarization of AlSi with addition of Ti or Cu
机译:
通过添加Ti或Cu来改善Alsi的准分子激光平坦化
作者:
Woratschek B.
;
Carey P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
13.
A self-aligned vertical Kelvin test structure to measure contact resistivities of Al and Ti on Si
机译:
一种自对准的垂直开尔文测试结构,以测量SI的Al和Ti的接触电阻
作者:
Yang W.L.
;
Lei T.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
14.
As-S/Ag systems for integrated optics
机译:
用于集成光学系统的AS-S / AG系统
作者:
Kozicki M.N.
;
Khawaja Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
15.
Fabrication of CMOS circuits using non-etchback SOG processing for dielectric planarization
机译:
使用非蚀刻缺陷处理对电介质平面化的CMOS电路的制造
作者:
Chung H.W.M.
;
Gupta S.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
16.
A study of pulsed laser planarization of aluminum for VLSI metallization
机译:
VLSI金属铝脉冲激光平坦化研究
作者:
Liu R.
;
Cheung K.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
17.
The use of Ti as an antireflective coating for the laser planarization of Al for VLSI metallization
机译:
使用Ti作为用于VLSI金属的激光平坦化的抗反射涂层
作者:
Lai Y.
;
Liu R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
18.
Advanced interconnection technologies and system-level communications functions
机译:
高级互连技术和系统级通信功能
作者:
Hornak L.A.
;
Tewksbury S.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
19.
Modelling spin-on film planarization properties
机译:
旋转薄膜平面化性能
作者:
White L.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
20.
Sputtered film characteristics evaluated through designed experiments
机译:
通过设计实验评估溅射膜特性
作者:
Roberts B.M.
;
Dalton C.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
21.
A comparison of a two layer metal system built with selective CVD W plugs and elevated temperature, sputtered Al(Cu)
机译:
一种用选择性CVD W插头构建的两层金属系统的比较和升高的温度,溅射Al(Cu)
作者:
Wilson S.R.
;
Mattox R.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
22.
Aluminum plug formation by excimer laser irradiation for planarized multilevel metallization
机译:
通过准分子激光辐射进行平坦化多级金属化的铝插塞
作者:
Mukai R.
;
Kobayashi K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
23.
In situ planarization of dielectric surfaces using boron oxide
机译:
使用硼氧化物的介电表面的原位平坦化
作者:
Marks J.
;
Law K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
24.
Comparison of cobalt and titanium silicides for SALICIDE process and shallow junction formation
机译:
钴和硅化物对Salicide工艺的比较和浅结形成
作者:
Wei C.-S.
;
Raghavan G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
25.
LPCVD of aluminium in a batch-type load-locked multi-chamber processing system
机译:
铝中铝中的LPCVD批量载荷锁定的多室处理系统
作者:
Piekaar H.W.
;
Kwakman L.F.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
26.
Electrical properties of polyimides for interlevel isolation and active device gate isolation
机译:
用于间隙隔离和有源器件栅极隔离的聚酰亚胺的电性能
作者:
Dubey A.
;
Lile D.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
27.
Low temperature plasma amorphous carbon encapsulation for reliable multilevel interconnections-with applications to wafer scale multichip packaging
机译:
低温等离子体无定形碳封装,可靠的多级互连 - 用应用于晶片秤多芯片包装
作者:
McDonald J.F.
;
Dabral S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
28.
Chip-level electromigration measurement technique for multi-segmented interconnect test structures
机译:
多分段互连测试结构的芯片级电迁移测量技术
作者:
Zamani N.
;
Dhiman J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
29.
Selective CVD tungsten contact plug technology with plasma pre-treatment
机译:
选择性CVD钨联系插头技术,具有等离子体预处理
作者:
Yamazaki O.
;
Shimizu S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
30.
Increase in EM resistance by planarizing dielectric film over Al wirings
机译:
通过平线化介电膜在Al布线上平坦化的影响
作者:
Isobe A.
;
Numazawa Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
31.
Excimer laser processing of Al-1Cu/TiW interconnect layers
机译:
Al-1%Cu / TiW互连层的准分子激光加工
作者:
Broadbent E.K.
;
Ritz K.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
32.
Ti-thickness dependent electromigration resistance of the Al-Cu-Si/TiN/sub x//TiSi/sub y/ barrier contact system
机译:
Ti厚度依赖性电磁阻力Al-Cu-Si / TiN / Sub X // TISI / Sub Y /屏障接触系统
作者:
Fu K.-Y.
;
Travis E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
33.
Reliable contact metallization technology with Al-Si-Cu/TiN/Ti system for CMOS VLSIs
机译:
具有CMOS VLSIS的Al-Si-Cu / TiN / Ti系统可靠的接触金属化技术
作者:
Ohshima Y.
;
Mori S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
34.
An improved etchback planarization process using a super planarizing spin-on sacrificial layer
机译:
使用超级平坦化旋转牺牲层的改进的蚀刻平面化过程
作者:
Ting C.H.
;
Pai P.-L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
35.
A novel blanket tungsten etchback scheme
机译:
一种新型毯子钨灰倒立计划
作者:
van Laarhoven J.M.F.G.
;
van Houtum H.J.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
36.
Process simulation and experiment for RC-parasitics in multilevel metallization
机译:
多级金属化rc-acrasitics的过程模拟与实验
作者:
Scheckler E.W.
;
Lyons D.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
37.
Stress migration resistance of Al-Si-Pd alloy interconnects
机译:
Al-Si-Pd合金互连的应力迁移性
作者:
Koubuchi Y.
;
Onuki J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
38.
Comparison of refractory metal and silicide capping effects on aluminum metallizations
机译:
耐火金属和硅化物覆盖效应对铝金属化的比较
作者:
Kikkawa T.
;
Endo N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
39.
Area selective gold MOCVD for VLSI electronics
机译:
适用于VLSI电子的区域选择性金MOCVD
作者:
Colgate S.D.
;
Palenik G.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
40.
Field inversion in CMOS double metal circuits due to carbon based SOGs
机译:
基于碳歌曲的CMOS双金属电路的现场反演
作者:
Pramanik D.
;
Nariani S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
41.
Evolution of functional correlation as an engineering directive for VLSI yield enhancement
机译:
功能相关性的演变为VLSI产量增强的工程指令
作者:
Angell R.
;
Keith C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
42.
Enhanced high performance reliable AlSi/TiW metallization for 1.0 mu m CMOS process
机译:
增强高性能可靠的ALSI / TIW金属化1.0 mu M CMOS工艺
作者:
Chou H.M.
;
Su W.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
43.
Dielectric film deposition by atmospheric pressure and low temperature CVD using TEOS, ozone, and new organometallic doping sources
机译:
用TEOS,臭氧和新的有机金属掺杂源通过大气压和低温CVD介电膜沉积
作者:
Nishimoto Y.
;
Tokumasu N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
44.
Multilevel gold metallization by use of selective W-CVD and polyimide siloxane film
机译:
用选择性W-CVD和聚酰亚胺硅氧烷膜的多级金金属化
作者:
Mikagi K.
;
Homma T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
45.
1989 Proceedings. Sixth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference (Cat. No.89TH0259-2)
机译:
1989年会议程。第六国际IEEE VLSI多级互联会议(CAT。No.89th0259-2)
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
46.
Multilevel interconnect planarization by voltage and laser programmable links using ion implantation
机译:
多电平使用电压和激光可编程链路使用离子植入来互连平坦化
作者:
Herndon T.O.
;
Burns J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
47.
Open circuit failures in CVD-WSi/sub x//poly-Si interconnects
机译:
CVD-WSI / SUB X // Poly-Si互连中的开路故障
作者:
Shishino M.
;
Nishiwaki T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
48.
Comparison of electromigration phenomenon between aluminum interconnection of various multilayered materials
机译:
各种多层材料铝互连之间的电迁移现象比较
作者:
Fujii T.
;
Okuyama K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
49.
Properties of LPCVD titanium nitride for ULSI metallization
机译:
LPCVD氮化钛的Ulsi金属化性质
作者:
Sherman A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
50.
Via electromigration performance of Ti/W/Al-Cu(2) multilayered metallization
机译:
通过Ti / W / Al-Cu(2%)多层金属化的电迁移性能
作者:
Martin C.A.
;
McPherson J.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
51.
Multi-step aluminum planarization process
机译:
多步铝平面化过程
作者:
Aronson A.J.
;
Roberts J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
52.
Understanding of spin-on-glass (SOG) properties from their molecular structure
机译:
了解分子结构的旋转玻璃(SOG)性质
作者:
Chiang C.
;
Fraser D.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
53.
Interaction of metal with underlying dielectric films in multilevel interconnect systems
机译:
金属与底层介电膜在多级互连系统中的相互作用
作者:
Chiang C.
;
Lee M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
54.
A two-level metal fully planarized interconnect structure implemented on a 64 kb CMOS SRAM
机译:
在64 kB CMOS SRAM上实现了两级金属完全平坦的互连结构
作者:
Moy D.
;
Schadt M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
55.
Oxide reliability in tungsten polycide gate electrode
机译:
钨聚纤维栅电极的氧化物可靠性
作者:
Kurachi I.
;
Yanai T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
56.
Shadow step structures for the analysis of thin film conductors
机译:
薄膜导体分析的阴影步骤结构
作者:
Rosvold W.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
57.
Low contact resistance polysilicon plug for halfmicron CMOS technology
机译:
低接触电阻多晶硅插头,用于半明显的CMOS技术
作者:
Hamajima T.
;
Sugano Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
58.
Multilevel interconnection for half-micron ULSI's
机译:
半微米Ulsi的多级互连
作者:
Nishida T.
;
Saito M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
59.
Resistive contrast imaging applied to multilevel interconnection failure analysis
机译:
应用于多级互连故障分析的电阻对比度成像
作者:
Cole E.I. Jr.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
60.
Low-resistance submicron CVD W interlevel via plugs on Al-Cu-Si
机译:
低电阻亚微米CVD W通过插头在Al-Cu-Si上的InterLevel
作者:
Joshi R.V.
;
Brodsky S.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
61.
Impact of Al melting on diode integrity
机译:
Al熔化对二极管完整性的影响
作者:
Kamgar A.
;
Knoell R.V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
62.
Simulation of density variation and step coverage for via metallization
机译:
通过金属化模拟密度变化和步进覆盖
作者:
Smy T.
;
Tait R.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
63.
Planarizing a-C:H and SiO/sub 2/ films prepared by bias electron cyclotron resonance plasma deposition
机译:
通过偏置电子回旋共振等离子体沉积制备的平坦化A-C:H和SiO / Sub 2 /薄膜
作者:
Horn M.W.
;
Pang S.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
64.
A submicron triple-level-metal gate array process utilizing tungsten for 1st level interconnect
机译:
利用钨的亚微米三级金属栅极阵列工艺,用于第一级互连
作者:
Manos P.
;
Pintchovski F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
65.
SOG planarization for polysilicon and first metal interconnect in a one micron CMOS process
机译:
多晶硅和第一金属互连的萼片平面化在一个微米CMOS工艺中
作者:
Forester L.
;
Butler A.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
66.
Corrosion characteristics of metallization systems with XRF
机译:
XRF金属化系统的腐蚀特性
作者:
Parekh N.
;
Price J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
67.
Transmission characteristics of narrow line-width interconnections on silicon substrates
机译:
硅基板上窄线宽互连的传输特性
作者:
Scott C.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
68.
Effect of selective tungsten contact fills on manufacturing issues
机译:
选择性钨接触填补制造问题的影响
作者:
Blumenthal R.
;
Alburn B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
69.
Potential of low temperature CMOS with normal and superconductive interconnect
机译:
具有正常和超导互连的低温CMO的电位
作者:
Krusius J.P.
;
Pence W.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
70.
Your future in the technology evolution of the 90's
机译:
你的未来在90年代的技术演变中
作者:
Madland G.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
71.
Copper as the future interconnection material
机译:
铜作为未来的互连材料
作者:
Pai P.-L.
;
Ting C.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
72.
The use of selective silicide plugs for submicron contact fill
机译:
用于亚微米接触填充的选择性硅化物插头
作者:
Wei C.-S.
;
Murali V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
73.
Melt and flow behavior of Al into micron size features using incoherent radiation
机译:
使用不连贯辐射的Al进入微米尺寸特征的熔体和流动
作者:
Kamgar A.
;
Beairsto R.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
74.
Superior metal step coverage and dielectric quality in a simple two-level metal 1.0 mu m CMOS technology
机译:
卓越的金属步进覆盖和介电品质在简单的两级金属1.0 mu m cmos技术中
作者:
Fieber C.A.
;
Martin E.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
75.
Evaluation of a novel passivation process for submicron CMOS SRAMs using PETEOS in combination with other PECVD films
机译:
与其他PECVD薄膜组合使用Peteos使用Peteos的亚微米CMOS SRAM的新型钝化过程
作者:
Gootzen W.
;
Bellersen M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
76.
Deposited oxides for high integrity applications
机译:
沉积高完整性应用的氧化物
作者:
Freeman D.W.
;
Monowski J.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
77.
Characteristics of a poly-silicon contact plug technology
机译:
聚硅接触插头技术的特点
作者:
Klein J.
;
Pintchovski F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
78.
Microstructural effect on the electromigration of aluminum interconnects
机译:
铝互连电迁移的微观结构效应
作者:
Wu K.
;
Jupiter P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
79.
An improved interlevel dielectric process for submicron double-level metal products
机译:
用于亚微米双层金属产品的改进的间间介电工艺
作者:
Pennington S.L.
;
Luce S.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
80.
Metalization process parasitic reduction by structure modeling
机译:
通过结构建模寄生过程寄生化
作者:
Poenisch P.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
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1989年
81.
A threshold pulse width for electromigration under pulsed stress conditions
机译:
脉冲应力条件下电迁移的阈值脉冲宽度
作者:
Noguchi T.
;
Hatanaka K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference》
|
1989年
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