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Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on
Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on
召开年:
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Newport, RI
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1.
Photoluminescence probing of InGaAs-InAl(Ga)As multiquantum wellstructures: a correlation to laser diode thresholds
机译:
InGaAs-InAl(Ga)As多量子阱的光致发光探测结构:与激光二极管阈值的相关性
作者:
Rao E.V.K.
;
Quillec M.
;
Harmand J.C.
;
Sermage B.
;
Thibierge H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
2.
A two-step liquid phase epitaxial growth process for high opencircuit voltage thin film InP solar cells
机译:
高开放度的两步液相外延生长工艺电路电压薄膜InP太阳能电池
作者:
Kilmer L.C.
;
Barnett A.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
3.
A novel low-temperature passivation of InAlAs/InGaAs HEMT devicesby MBE
机译:
InAlAs / InGaAs HEMT器件的新型低温钝化由MBE
作者:
Hwang K.C.
;
Ho P.
;
Chao P.C.
;
Duh K.H.G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
4.
Y-branch wavelength-controlled space switch using a twin-guidelaser amplifier
机译:
使用双导轨的Y分支波长控制空间开关激光放大器
作者:
Mace D.A.H.
;
Singh J.
;
Adams M.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
5.
A novel InAlAs/InP/InAlAs pnp double heterojunction bipolartransistor grown by MBE
机译:
新型InAlAs / InP / InAlAs pnp双异质结双极MBE生长的晶体管
作者:
Fathimulla A.
;
Hier H.
;
Gutierrez D.
;
Potter R.
;
Abrahams J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
6.
Laser-modulator compatibility in an InGaAs/InAlAs superlatticestructure
机译:
InGaAs / InAlAs超晶格中的激光调制器兼容性结构体
作者:
Harmand J.C.
;
Bigan E.
;
Allovon M.
;
Carre M.
;
Voisin P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
7.
Predicted performance of n+p indium phosphide solarcells under laser illumination
机译:
n + sup> p磷化铟太阳能电池的预测性能激光照射下的细胞
作者:
Jain R.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
8.
Electrical and optical properties of oxygen implants disorderedInGaAs-InAl(Ga)As MQWs
机译:
氧植入物的电学和光学性质无序InGaAs-InAl(Ga)As MQW
作者:
Rao E.V.K.
;
Ossart P.
;
Gao Y.
;
Quillec M.
;
Krauz P.
;
Thibierge H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
9.
Characteristics of pnp InGaAlAs/InGaAs heterojunction bipolartransistors grown by molecular beam epitaxy
机译:
pnp InGaAlAs / InGaAs异质结双极的特性通过分子束外延生长的晶体管
作者:
Dodabalapur A.
;
Chang T.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
10.
An indium phosphide backside via process for microwave andmillimeter wave applications
机译:
磷化铟背面通孔工艺用于微波和毫米波应用
作者:
Bui S.
;
Oki A.
;
Nguyen N.
;
Tran L.
;
Streit D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
11.
Strain and vertical scaling in the base ofAl
0.48
In
0.52
As/In
x
Ga
1-x
Asheterostructure bipolar transistors
机译:
底部的应变和垂直缩放Al
0.48 sub> In
0.52 sub> As / In
x sub> Ga
1-x sub> As异质结构双极晶体管
作者:
Jalali B.
;
Levi A.F.J.
;
Chuang S.L.
;
Smith P.R.
;
Humphrey D.A.
;
Nottenburg R.N.
;
Sivco D.
;
Cho A.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
12.
Passivating SiS
2
films on InP
机译:
在InP上钝化SiS
2 sub>膜
作者:
Iyer R.
;
Ochiai M.
;
Chen C.W.
;
Lile D.L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
13.
Regrowth of semi-insulating iron doped InP around reactive ionetched laser mesas in 〈110〉 and 〈-110〉 directions byhydride vapour phase epitaxy
机译:
半绝缘铁掺杂InP在反应离子周围的再生长在<110>和<-110>方向上蚀刻激光台面氢化物气相外延
作者:
Kjebon O.
;
Lourdudoss S.
;
Wallin J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
14.
Low-noise photoreceiver front-end with ion implanted indiumphosphide MISFET
机译:
具有离子注入铟的低噪声光接收器前端磷化MISFET
作者:
Post G.
;
Falcou A.
;
Billard M.
;
Nait-Zerrad K.
;
Scavennec A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
15.
Specific contact resistivity of InGaAs/InP p-isotypeheterojunctions
机译:
InGaAs / InP p同种型的比接触电阻率异质结
作者:
Wasserbauer J.G.
;
Bowers J.E.
;
Hafich M.J.
;
Silvestre P.
;
Woods L.M.
;
Robinson G.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
16.
Spectral linewidth of multiple quantum well distributed feedback(MQW-DFB) lasers grown by low pressure MOVPE
机译:
多量子阱分布反馈的谱线宽低压MOVPE生长的(MQW-DFB)激光器
作者:
Coblentz D.L.
;
Tanbun-Ek T.
;
Andrekson P.A.
;
Logan R.A.
;
Sergent A.M.
;
Wecht K.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
17.
Near infrared microscopy for the determination of dopantdistributions and segregation in n-type/InP
机译:
近红外显微镜用于测定掺杂剂n型/ InP中的分布和隔离
作者:
Carlson D.J.
;
Bliss D.F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
18.
Performance study of InGaAs/InAlAs/InP MODFETs on heterostructuresgrown by OMVPE and MBE
机译:
InGaAs / InAlAs / InP MODFET在异质结构上的性能研究由OMVPE和MBE种植
作者:
Adesida I.
;
Tong M.
;
Nummila K.
;
Ketterson A.A.
;
Aina L.
;
Mattingly M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
19.
Measurement of valence band edge discontinuity for theInAlAs/GaAsSb heterojunction lattice-matched to InP
机译:
价带边缘不连续性的测量InAlAs / GaAsSb异质结与InP匹配
作者:
Martinez M.J.
;
Scherer R.L.
;
Schuermeyer F.L.
;
Johnstone D.K.
;
Stutz C.E.
;
Evans K.R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
20.
Self-selective formation of organic masks for methane/hydrogenreactive ion etching of InP
机译:
自选择性形成甲烷/氢气有机掩膜InP的反应离子刻蚀
作者:
Schramm J.E.
;
Yu D.G.
;
Pekarik J.J.
;
Hu E.L.
;
Merz J.L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
21.
MBE growth and characterization of lattice-matched andpseudomorphic InGaAs/InAlAs/InP HEMTs
机译:
MBE生长和晶格匹配和准InGaAs / InAlAs / InP HEMT
作者:
Streit D.C.
;
Tan K.L.
;
Liu P.H.
;
Chow P.D.
;
Velebir J.R.
;
Lai R.
;
Block T.R.
;
Stolt K.S.
;
Wojtowicz M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
22.
The use of an in-situ ECR hydrogen plasma to remove the oxide fromInP substrates prior to epitaxial growth
机译:
使用原位ECR氢等离子体从中去除氧化物外延生长之前的InP衬底
作者:
Robinson B.J.
;
Thompson D.A.
;
Hofstra P.G.
;
Balcaitis G.
;
McMaster S.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
23.
Analysis of SiO
2
/InP interfaces using gatedphotoluminescence and Raman spectroscopy
机译:
SiO
2 sub> / InP界面的门控分析光致发光和拉曼光谱
作者:
Ochiai M.
;
Iyer R.
;
Bollig B.
;
Lile D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
24.
Growth of InP/GaInAs at reduced temperature using tertiarybutylsources, with application to InP-based heterostructure bipolartransistors
机译:
使用叔丁基在减压下生长InP / GaInAs源,应用于基于InP的异质结构双极晶体管
作者:
McDermott B.T.
;
Burke W.E.
;
Seabury C.W.
;
Ho W.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
25.
Current blocking behaviour of p/SI-InP:Fe structures attemperatures between 25 and 200° C
机译:
p / n / SI-InP:Fe / n结构的电流阻挡行为温度在25至200°C之间
作者:
Lourdudoss S.
;
Nordell N.
;
Borglind I.
;
Landgren G.
;
Keller C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
26.
A spectroscopic investigation of nominally undoped semi-insulatingInP prepared by high-temperature annealing
机译:
标称无掺杂半绝缘的光谱研究通过高温退火制备的InP
作者:
Wolf T.
;
Bimberg D.
;
Hirt G.
;
Hofmann D.
;
Muller G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
27.
InP MISFETs with SiO
2
gate insulator deposited bydistributed electron cyclotron resonance plasma deposition
机译:
SiO
2 sub>栅绝缘体沉积的InP MISFET分布式电子回旋共振等离子体沉积
作者:
Tardy J.
;
Thomas I.
;
Viktorovitch P.
;
Drouot V.
;
Agius B.
;
Plais F.
;
Dupin J.P.
;
Barbier D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
28.
MO-VPE for optoelectronic devices with organometallic phosphorusprecursors
机译:
含有机金属磷的光电器件的MO-VPE前体
作者:
Ougazzaden A.
;
Mellet R.
;
Gao Y.
;
Rao K.
;
Mircea A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
29.
Determination of Fe2+ and Fe3+ concentrationsin semi-insulating InP:Fe
机译:
Fe 2 + sup>和Fe 3 + sup>浓度的测定在半绝缘的InP:Fe中
作者:
Zach F.X.
;
Bourret E.D.
;
Bliss D.
;
Weber E.R.
;
Haller E.E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
30.
High-performance MSM photodetectors on semiinsulatingInP:Fe/InGaAs:Fe/InP:Fe
机译:
半绝缘的高性能MSM光电探测器InP:Fe / InGaAs:Fe / InP:Fe
作者:
Hieronymi F.
;
Kuhl D.
;
Bottcher E.H.
;
Droge E.
;
Wolf T.
;
Bimberg D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
31.
Monolithic integration of InGaAs/InAlAs MODFETs and RTDs onInP-bonded-to Si substrate
机译:
InGaAs / InAlAs MODFET和RTD的单片集成InP键合至Si基板
作者:
Fathimulla A.
;
Hier H.
;
Abrahams J.
;
Loughran T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
32.
Gas source molecular beam epitaxial growth and characterization ofInP on GaAs
机译:
气源分子束外延生长及表征砷化镓铟
作者:
Droopad R.
;
Choi K.Y.
;
Shiralagi K.T.
;
Puechner R.A.
;
Maracas G.N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
33.
Donor related deep traps in MOMBEGa
0.51
In
0.49
P/GaAs heterostructures: influence onthe low temperature performance of HEMTs
机译:
MOMBE中与捐助者有关的深陷陷阱Ga
0.51 sub> In
0.49 sub> P / GaAs异质结构:对HEMT的低温性能
作者:
Ginoudi A.
;
Paloura E.
;
Kostandinidis G.
;
Kiriakidis G.
;
Garcia J.C.
;
Maurel P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
34.
A 600 Mbit/s monolithically integrated InP/InGaAs pin-JFETtransimpedance receiver by planar technology
机译:
600 Mbit / s单片集成InP / InGaAs引脚JFET平面技术的跨阻接收器
作者:
Lauterbach C.
;
Albrecht H.
;
Romer D.
;
Walter J.W.
;
Muller J.
;
Ebbinghaus G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
35.
Time and temperature dependence of phosphorus vapor pressure asmeasured by a pressure-balanced, sealed-ampoule technique
机译:
磷蒸气压的时间和温度依赖性为通过压力平衡的密封安瓿技术测量
作者:
Iseler G.W.
;
Clark H.F. Jr.
;
Bliss D.F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
36.
Tin incorporation in MOVPE InP/GaInAs and AlInAs/GaInAsheterostructures
机译:
在MOVPE InP / GaInAs和AlInAs / GaInAs中掺入锡异质结构
作者:
Veuhoff E.
;
Rieger J.
;
Baumeister H.
;
Treichler R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
37.
Improvements in selective area growth of InP by metal-organic vaporphase epitaxy
机译:
金属有机蒸气对InP选择性区域生长的改善相外延
作者:
Veuhoff E.
;
Heinecke H.
;
Rieger J.
;
Baumeister H.
;
Schimpe R.
;
Prohl S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
38.
Absorption measurements of doped thin film InP for solar cellmodeling
机译:
掺杂薄膜InP的太阳能电池吸收测量造型
作者:
Augustine G.
;
Jokerst N.M.
;
Rohatgi A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
39.
Characterization of MOVPE grown GaInP as wide band gap Schottkybarrier layer
机译:
MOVPE生长的GaInP表征为宽带隙肖特基阻挡层
作者:
Scheffer F.
;
Buchali F.
;
Lindner A.
;
Liu Q.
;
Wiersch A.
;
Kohl A.
;
Prost W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
40.
Optical characterizations of lattice matched and strainedGaInAs/AlInAs single quantum wells
机译:
晶格匹配和应变的光学表征GaInAs / AlInAs单量子阱
作者:
Tabata A.
;
Benyattou T.
;
Moneger S.
;
Baltagi Y.
;
Grange J.
;
Guillot G.
;
Georgakilas A.
;
Zekentes K.
;
Halkias G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
41.
Model for incorporation of zinc in MOCVD growth ofGa
0.5
In
0.5
P
机译:
在MOCVD生长中掺入锌的模型。Ga
0.5 sub> In
0.5 sub> P
作者:
Kurtz S.R.
;
Olson J.M.
;
Kibbler A.E.
;
Asher S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
42.
Gate tunneling current in In
0.53
Ga
0.47
Asjunction field-effect transistors
机译:
In
0.53 sub> Ga
0.47 sub> As中的栅极隧穿电流结型场效应晶体管
作者:
Chung Y.K.
;
Lo D.C.W.
;
Forrest S.R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
43.
Frequency, energy and spatially resolved characterization ofinterface traps in metal-insulator-InP transistors based on noise andcurrent drift measurements
机译:
频率,能量和空间分辨特征金属-绝缘体-InP晶体管中的接口陷阱基于噪声和电流漂移测量
作者:
Viktorovitch P.
;
Vojtek J.
;
Thomas J.
;
Choujaa K.
;
Tardy J.
;
Blanchet R.
;
Agius B.
;
Plais F.
;
Chovet A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
44.
Effect of growth interruptions at interfaces on the shapes ofInGaAs/InP quantum wells grown by gas source MBE
机译:
界面处生长中断对形状的影响气源MBE生长的InGaAs / InP量子阱
作者:
Elman B.
;
Koteles E.S.
;
Kenneson D.
;
Powers I.
;
Oblas D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
45.
Effect of surface pre-treatments on carrier depletion atgrowth-interrupted p-type InP interfaces for laser structures grown byGSMBE
机译:
表面预处理对载流子耗尽的影响生长中断的p型InP界面,用于通过GSMBE
作者:
Gallet D.
;
Hollinger G.
;
Viktorovitch P.
;
Bonnevie D.
;
Goldstein L.
;
Robinson B.J.
;
Thompson D.A.
;
Hofstra P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
46.
Recent advances in semiconductor optical amplifiers and theirapplications
机译:
半导体光放大器及其最新进展应用领域
作者:
Stubkjaer K.E.
;
Mikkelsen B.
;
Durhuus T.
;
Storkfelt N.
;
Joergensen C.
;
Jepsen K.
;
Nielsen T.N.
;
Gliese U.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
47.
Measurement of interface states distribution at the gates of InPFETs
机译:
InP栅极的界面状态分布的测量场效应管
作者:
Lee W.
;
Tabatabaei S.A.
;
Iliadis A.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
48.
GaInAs(P)-InP quantum well structures for optoelectronic devicesgrown by MOVPE using DADI as a novel liquid In precursor
机译:
GaInAs(P)-InP光电器件量子阱结构由MOVPE使用DADI作为新型液态In前驱物生长
作者:
Scholz F.
;
Rudeloff R.
;
Henle B.
;
Harle V.
;
Scheuble E.
;
Tutken T.
;
Hangleiter A.
;
Pohl L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
49.
Temperature dependence and material properties of InGaAsP/InPmirrors
机译:
InGaAsP / InP的温度依赖性和材料性能镜子
作者:
Dudley J.J.
;
Crawford D.L.
;
Bowers J.E.
;
Silvestre P.
;
Robinson G.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
50.
2.4 μm intersubband absorption inIn
1-x
Ga
x
As/AlAs
1-y
Sb
y
multiple quantum wells
机译:
2.4μm的子带内吸收In
1-x sub> Ga
x sub> As / AlAs
1-y sub> Sb
y sub>多量子阱
作者:
Asai H.
;
Kawamura Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
51.
Vertical integration of structured resonant tunneling diodes on InPfor multi-valued memory applications
机译:
在InP上垂直集成结构化谐振隧穿二极管用于多值内存应用
作者:
Kao Y.C.
;
Seabaugh A.C.
;
Yuan H.T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
52.
Electrical characterisation of strained modulation doped In
x
Ga
1-x
As/InP heterostructures with extremely highmobilities
机译:
掺杂In
x的应变调制的电学表征 sub> Ga
1-x sub> As / InP异质结构,具有极高的流动性
作者:
Schapers T.
;
Appenzeller J.
;
Meyer R.
;
Hardtdegen H.
;
Loken-Larsen H.
;
Luth H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
53.
Device optimization of laser and heterobipolar transistor forlaser/driver OEIC
机译:
激光和异质双极晶体管的器件优化激光/驱动器OEIC
作者:
Schlereth H.-H.
;
Kuhn E.
;
Laube G.
;
Kaiser D.
;
Wunstel K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
54.
0.1 μm MOVPE grown InAlAs/InGaAs HEMT's with above 150 GHzoperation capability
机译:
150 GHz以上的0.1μmMOVPE生长的InAlAs / InGaAs HEMT操作能力
作者:
Ng G.I.
;
Pavlidis D.
;
Kwon Y.
;
Brock T.
;
Davies J.I.
;
Clarke G.
;
Rees P.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
55.
High speed narrow linewidth 1.55 μm GaInAs/AlGaInAs MQW DFBlasers
机译:
高速窄线宽1.55μmGaInAs / AlGaInAs MQW DFB雷射
作者:
Blez M.
;
Kazmierski C.
;
Mathoorasing D.
;
Quillec M.
;
Gilleron M.
;
Nakajima H.
;
Sermage B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
56.
Optimization of InAlAs/InGaAs heterostructure field effecttransistors for an application in optoelectronic receivers
机译:
InAlAs / InGaAs异质结构场效应的优化光电接收器中的晶体管
作者:
Reemtsma J.-H.
;
Kuebart W.
;
Grosskopf H.
;
Koerner U.
;
Kaiser D.
;
Gyuro I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
57.
Optical and structural characterizations ofIn
0.53
Fa
0.47
As/In
x
Ga
1-x
Asstrained quantum wells on InP substrate
机译:
的光学和结构表征In
0.53 sub> Fa
0.47 sub> As / In
x sub> Ga
1-x sub> AsInP衬底上的应变量子阱
作者:
Tabata A.
;
Benyattou T.
;
Guillot G.
;
Gendry M.
;
Hollinger G.
;
Viktorovitch P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
58.
Selective wet etching for InGaAs/InAlAs/InP heterostructurefield-effect transistors
机译:
InGaAs / InAlAs / InP异质结构的选择性湿法刻蚀场效应晶体管
作者:
Tong M.
;
Ketterson A.A.
;
Nummila K.
;
Adesida I.
;
Aina L.
;
Mattingly M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
59.
F
max
-enhancement in CBE-grown InAlAs/InGaAs HEMT's usingnovel self-aligned offset-gate technology
机译:
使用CBE生长的InAlAs / InGaAs HEMT中的F
max sub>增强新型自对准偏置门技术
作者:
Kwon Y.
;
Brock T.
;
Ng G.I.
;
Pavlidis D.
;
Munns G.O.
;
Sherwin M.E.
;
Haddad G.I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
60.
High performance E/D-mode InAlAs/InGaAs HIGFET technology andintegrated logic functions
机译:
高性能E / D模式InAlAs / InGaAs HIGFET技术和集成逻辑功能
作者:
Chan Y.-J.
;
Pavlidis D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
61.
Photoconductivity of a strained InAs/InP superlattice in the1.0-1.5 μm region
机译:
InAs中InAs / InP应变超晶格的光电导性。1.0-1.5μm区域
作者:
Stavrinou P.
;
Haywood S.K.
;
Zhang X.
;
Hopkinson M.
;
Claxton P.A.
;
David J.P.R.
;
Hill G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
62.
Highly uniform InGaAsP/InP growth in a multiwafer rotating diskreactor by MOCVD
机译:
多晶片旋转盘中InGaAsP / InP的高度均匀生长MOCVD反应器
作者:
McKee M.A.
;
Yoo B.-S.
;
Stall R.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
63.
Growth of semi-insulating InP:Fe in a low pressure hydride VPEsystem using elemental iron and ferrocene as dopant sources
机译:
低压氢化物VPE中半绝缘InP:Fe的生长元素铁和二茂铁作为掺杂源的系统
作者:
Beccard R.
;
Beuven S.
;
Heime K.
;
Harde P.
;
Schmald R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
64.
Study of strain effects in high performance double heterostructureIn
x
Ga
1-x
As (0.57e1>x<0.73) p-MODFET
机译:
高性能双异质结构中的应变效应研究In
x sub> Ga
1-x sub> As(0.57 e1> x e1> <0.73)p-MODFET
作者:
Kusters A.M.
;
Stollenwerk M.
;
Kohl A.
;
Heuken M.
;
Heime K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
65.
1/
f
noise characteristics of InP/InGaAs heterojunctionbipolar transistors
机译:
InP / InGaAs异质结的1 /
f e1>噪声特性双极晶体管
作者:
Tutt M.N.
;
Pavlidis D.
;
Chau H.-F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
66.
A high-voltage, doubly-strainedIn
0.41
Al
0.59
As+-In
0.65
Ga
0.35
As HFET
机译:
高电压,双应变In
0.41 sub> Al
0.59 sub> As / n + sup> -In
0.65 sub> Ga
0.35 sub>作为HFET
作者:
Bahl S.R.
;
Bennett B.R.
;
del Alamo J.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
67.
Thin film dielectric deposition by rapid thermal CVD for InP deviceapplications
机译:
InP器件中通过快速热CVD进行薄膜电介质沉积应用领域
作者:
Lebland F.
;
Licoppe C.
;
Nissim Y.I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
68.
In-situ X-ray monitoring in MOVPE and feedback growth of strainedInGaAs
机译:
MOVPE中的原位X射线监测和应变的反馈生长铟镓砷
作者:
Tsuchiya T.
;
Taniwatari T.
;
Uomi K.
;
Kawano T.
;
Ono Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
69.
Effects of pure-hydrogen and pure-argon plasmas on the near-surfacetype conversion of p-InP
机译:
纯氢气和纯氩等离子体对近地表的影响p-InP的类型转换
作者:
Gessert T.A.
;
Li X.
;
Flowers G.E.
;
Beck E.E.
;
Coutts T.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
70.
The interface properties of ITO/p-InP due to DC magnetron sputterdisposition in hydrogen
机译:
直流磁控溅射引起的ITO / p-InP的界面特性置于氢中
作者:
Li X.
;
Gessert T.A.
;
Coutts T.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
71.
Effects of ytterbium addition on liquid phase epitaxial growth ofInGaAs/InP heterostructures
机译:
addition添加对液相外延生长的影响。InGaAs / InP异质结构
作者:
Davis A.
;
Dauplaise H.M.
;
Gregg M.R.
;
Lorenzo J.P.
;
Walsh L.D.
;
Mattila J.B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
72.
Deep level investigation in Fe-doped semi-insulating indiumphosphide crystals
机译:
掺铁半绝缘铟的深层研究磷化物晶体
作者:
Fornari R.
;
Santic B.
;
Desnica U.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
73.
Characterization of Si-δ doped GaInAs grown by low pressurechemical vapor deposition
机译:
低压生长的Si-δ掺杂GaInAs的表征化学气相沉积
作者:
di Forte-Poisson M.A.
;
Brylinski C.
;
Favre J.
;
Ranz E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
74.
High resistivity, low loss InGaAlAs/InP optical waveguides grown bylow-temperature MBE
机译:
高电阻率,低损耗的InGaAlAs / InP光波导通过低温MBE
作者:
Kunzel H.
;
Grote N.
;
Albrecht P.
;
Bottcher J.
;
Bornholdt C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
75.
InGaAs molecular beam epitaxy in InP wells prepared by reactive ionetching
机译:
反应离子制备的InP阱中的InGaAs分子束外延刻蚀
作者:
Georgakilas A.
;
Zekentes K.
;
Tsagaraki K.
;
Lefebvre P.
;
Allegre J.
;
Christou A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
76.
InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors grown with gas sourcemolecular beam epitaxy
机译:
气源生长的InGaAs / InP异质结双极晶体管分子束外延
作者:
Feld S.A.
;
Geib K.M.
;
Beyette F.R. Jr.
;
An X.
;
Hafich M.J.
;
Robinson G.Y.
;
Wilmsen C.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
77.
OMCVD growth of strained Al
x
Ga
y
In
1-x-y
As for low threshold 1.3 μm and 1.55 μm quantum well lasers
机译:
Al
x sub> Ga
y sub> In
1-x-y的OMCVD生长 sub>对于低阈值1.3μm和1.55μm量子阱激光器
作者:
Bhat R.
;
Zah C.E.
;
Koza M.A.
;
Hwang D.-M.D.
;
Favire F.J.
;
Pathak B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
78.
Low threshold 1.5 μm quaternary quantum well lasers grown byMOCVD
机译:
低阈值1.5μm四元量子阱激光器化学气相沉积
作者:
Grodzinski P.
;
Osinski J.S.
;
Zou Y.
;
Mathur A.
;
Dapkus P.D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
79.
DC characterization of GaInP/GaAs tunneling emitter bipolartransistors
机译:
GaInP / GaAs隧穿发射极双极的直流特性晶体管
作者:
Lu S.S.
;
Wu C.C.
;
Huang C.C.
;
Williamson F.
;
Nathan M.I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
80.
InAlAs/InGaAs HBT exponentially graded base doping and gradedInGaAlAs emitter-base junction
机译:
InAlAs / InGaAs HBT指数分级的基础掺杂和分级InGaAlAs发射极-基极结
作者:
Tran L.
;
Streit D.
;
Kobayashi K.
;
Velebir J.
;
Bui S.
;
Oki A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
81.
Numerical simulation of InP/InGaAs npn heterojunctionphototransistors
机译:
InP / InGaAs npn异质结的数值模拟光电晶体管
作者:
Owens R.E.
;
Zhang H.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
82.
Surface passivation of InP by in-situ dry process using PH
3
-plasma and Se vapor
机译:
用PH
3通过原位干燥工艺对InP进行表面钝化 sub>-等离子和硒蒸气
作者:
Sugino T.
;
Goda K.
;
Okitani H.
;
Shirafuji J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
83.
Arsenic-phosphorus exchange during the formation of InAlAs/InPinterfaces
机译:
InAlAs / InP形成过程中的砷-磷交换介面
作者:
Brasil M.J.S.P.
;
Nahory R.E.
;
Tamargo M.C.
;
Quinn W.E.
;
Aspnes D.E.
;
Farrell H.H.
;
Hwang D.M.
;
Philips B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
84.
Design of high-speed and high-sensitivity photodiode with an inputoptical waveguide on semi-insulating InP substrate
机译:
带输入的高速高灵敏度光电二极管的设计半绝缘InP衬底上的光波导
作者:
Kato K.
;
Hata S.
;
Yoshida J.
;
Kozen A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
85.
Extremely low dark current InAlAs/InGaAlAs quaternary wellsuperlattice APD
机译:
极低的暗电流InAlAs / InGaAlAs四元阱超晶格APD
作者:
Watanabe I.
;
Makita K.
;
Tsuji M.
;
Torikai T.
;
Taguchi K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
86.
On the optimization and reliability of ohmic and Schottky contactsto InAlAs/InGaAs HFET
机译:
关于欧姆和肖特基接触的优化和可靠性到InAlAs / InGaAs HFET
作者:
Heedt C.
;
Gottwald P.
;
Buchali F.
;
Prost W.
;
Kunzel H.
;
Tegude F.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
87.
Enhanced Schottky barriers onn-In
0.53
Ga
0.47
As using p-InGaAs, GaAs, InP andInGaP surface layers
机译:
增强肖特基势垒使用p-InGaAs,GaAs,InP和n-In
0.53 sub> Ga
0.47 sub> AsInGaP表面层
作者:
Kordos P.
;
Marso M.
;
Meyer R.
;
Luth H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
88.
Electrical properties of InAlAs/InGaAs HEMT structures on InPsubstrates under the optimum thermal cleaning condition grown byMBE
机译:
InP上InAlAs / InGaAs HEMT结构的电学性质基板在最佳热清洗条件下生长MBE
作者:
Takakusaki M.
;
Ozaki T.
;
Akamatsu K.
;
Ohmori M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
89.
Carrier compensation mechanism in O+ implanted InP
机译:
O + sup>注入的InP中的载流子补偿机制
作者:
He L.
;
Anderson W.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
90.
High resolution definition of buried In
0.53
Ga
0.47
As/InP wires by implantation induced intermixing
机译:
In
0.53 sub> Ga
0.47的高分辨率分辨率植入引起的 sub> As / InP线
作者:
Oshinowo J.
;
Dreybrodt J.
;
Forchel A.
;
Emmerling M.
;
Gyuro I.
;
Speier P.
;
Zielinski E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
91.
The influence of the substrate on the thermal stability ofInGaAs/InGaAsP quantum wells
机译:
基材对热稳定性的影响InGaAs / InGaAsP量子阱
作者:
Glew R.W.
;
Briggs A.T.R.
;
Greene P.D.
;
Allen E.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
92.
High performance InGaAs/InAlAs MQW laser diodes grown by gas sourcemolecular beam epitaxy
机译:
气源生长的高性能InGaAs / InAlAs MQW激光二极管分子束外延
作者:
Iwamura H.
;
Uenohara H.
;
Wakatsuki A.
;
Kawamura Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
93.
Outdiffusion from high dose Mg p+-contact implantationsin InP
机译:
高剂量Mg p + sup>-接触植入的扩散在InP中
作者:
van Berlo W.H.
;
Landgren G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
94.
Vertically-integrated InGaAsP/InP two-wavelength all-opticallatch/AND gate
机译:
垂直集成InGaAsP / InP两波长全光锁存/与门
作者:
An X.
;
Geib K.M.
;
Hafich M.J.
;
Crumbaker T.E.
;
Silvestre P.
;
Beyette F.R. Jr.
;
Feld S.A.
;
Robinson G.Y.
;
Wilmsen C.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
95.
Traps in semi-insulating InP studied by thermally stimulatedcurrent spectroscopy
机译:
通过热激发研究半绝缘InP中的陷阱电流光谱
作者:
Fang Z.-Q.
;
Look D.C.
;
Zhao J.H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
96.
Electrical characterization of 1 MeV electron irradiated ITO/InPstructures
机译:
1 MeV电子辐照的ITO / InP的电学表征结构
作者:
Luo J.K.
;
Thomas H.
;
Pearsall N.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
97.
Temperature dependence of low-frequency gain dispersion inion-implanted InP JFETs
机译:
低频增益色散的温度依赖性离子注入InP JFET
作者:
Kruppa W.
;
Boos J.B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
98.
Fourth International Conference on Indium Phosphide and RelatedMaterials (Cat. No.92CH3104-7)
机译:
第四届国际磷化铟及相关会议材料(货号92CH3104-7)
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
99.
Lateral bandgap engineering for InP-based photonic integratedcircuits
机译:
基于InP的光子集成的横向带隙工程电路
作者:
Coudenys G.
;
Moerman I.
;
Zhu Y.
;
Van Daele P.
;
Demeester P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
100.
Integrated photoreceiver array using molecular beam epitaxialregrowth
机译:
使用分子束外延的集成光接收器阵列再生长
作者:
Berger P.R.
;
Humphrey D.A.
;
Smith P.R.
;
Montgomery R.K.
;
Dutta N.K.
;
Sivco D.
;
Cho A.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1992., Fourth International Conference on》
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