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International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)
International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)
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1.
OPTIMIZATION OF BORON DOPED POLYSILICON RESISTORS
机译:
掺硼多晶硅电阻的优化
作者:
KYUNGHO LEE
;
HYUNSOON KANG
;
YUNGSOO JANG
;
SOONKWON LIM
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
2.
LOW TEMPERATURE BIPOLAR TRANSISTOR OPERATED IN A HYBRID-MODE COMPATIBLE WITH CMOS TECHNOLOGY
机译:
与CMOS技术兼容的混合模式下的低温双极晶体管
作者:
Shurong LI
;
Yunguang Zheng
;
Weilian Guo
;
Liang Jiang
;
Huilai Liang
;
Yiming Wang
;
Litian Liu
;
Zhijian Li
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
3.
HYDROTHERMAL PREPARATION OF BaTiO_3 THIN FILM ON SILICON
机译:
在硅上水热制备BaTiO_3薄膜
作者:
W-PING XU
;
LIANWEI WANG
;
HUOPING XIN
;
LIRONG ZHENG
;
CHENGLU LIN
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
4.
HREM ANALYSIS OF ULTRA-THIN OXIDES (INVITED)
机译:
超薄氧化物的HREM分析(邀请)
作者:
R. SINCLAIR
;
M. NIWA
;
T. KOUZAKI
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
5.
CONTROL ON THE -CHARACTERISTICS OF THE STATIC INDUCTION TRANSISTOR(SIT)
机译:
静电感应晶体管(SIT)的特性控制
作者:
S.Y.LI
;
R.X.LIU
;
S.LIU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
6.
SURFACE STRUCTURE ANALYSIS AND MEASUREMENT OF THICK OXIDE SELF-ALIGNED SILICON AVALANCHE ELECTRON EMISSION DEVICE
机译:
厚氧化物自对准硅雪崩电子发射器件的表面结构分析与测量
作者:
MEIJUAN GUO
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
7.
TRADE-OFFS BETWEEN CMOS AND BICMOS
机译:
CMOS和BICMOS之间的权衡
作者:
TAKAHIRO NAGANO
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
8.
APPLICATION OF TOF-SIMS TO MICROELECTRONICS
机译:
TOF-SIMS在微电子学中的应用
作者:
P. K.CHU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
9.
Flash Memories, Their Status and Trends
机译:
闪存,其状态和趋势
作者:
Fujio Masuoka
;
Tetsuo Endoh
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
10.
TAILORED MODELING OF MICRODEVICES AND SYSTEMS USING THERMODYNAMIC METHODS
机译:
使用热力学方法对微设备和系统进行定制建模
作者:
GERHARD K. WACHUTKA
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
11.
ORIGIN OF LIGHT EMISSION FROM SILICON NANOPARTICLES
机译:
硅纳米粒子的发光起源
作者:
Dahua Zhang
;
P. D. Milewski
;
D. J. Lichtenwalner
;
R. M. Kolbas
;
A. I. Kingon
;
J. M. Zavada
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
12.
IC JOINT VENTURE EXPERIENCE IN CHINA $$$$ FROM MASS PRODUCTION TO PROFITABILITY
机译:
在中国的IC合资企业经验:从批量生产到盈利
作者:
Tony Liu
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
13.
STUDY OF NMOSFET SUBSTRATE CURRENT MECHANISMS IN THE TEMPERATURE RANGE OF 77-295K
机译:
77-295K温度范围内NMOSFET基体电流机理的研究
作者:
WEI-DONG LIU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
14.
Optimization of Boron Pocket Implantation for Deep Sub-micron NMOSFET Process
机译:
深亚微米NMOSFET工艺中硼口袋注入的优化
作者:
Chun Jiang
;
Ed Nowak
;
Lily Ding
;
Y.T. Loh
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
15.
A MODIFIED HAMMING NEURAL NETWORK
机译:
改进的Hamming神经网络
作者:
WEI LU
;
ZHUIAN LI
;
BINGXUE SHI
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
16.
A MULTI-INPUT FUZZY PROCESSOR FOR PATTERN RECOGNITION
机译:
模式识别的多输入模糊处理器
作者:
LIUSHENG LIU
;
ZHIJ1AN LI
;
BINGXUE SHI
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
17.
VLSI PERFORMANCE ANALYSIS METHOD FOR LOW-VOLTAGE CIRCUIT OPERATION
机译:
低压电路运行的VLSI性能分析方法
作者:
G. SCHROM
;
D. LIU
;
C. FISCHER
;
CH. PICHLER
;
CH. SVENSSON
;
S. SELBERHERR
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
18.
SIMULATION OF TEMPERATURE DISTRIBUTION IN RECRYSTALLIZED SOI FILM WITH REFLECTIVE-STRIPE STRUCTURE BY LASER IRRADIATION
机译:
激光辐照反射结构的SOI薄膜温度分布的激光模拟
作者:
HONGWEI WANG
;
JISHENG ZHANG
;
CHANGQING ZHAN
;
PEI-HSIN TSIEN
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
19.
STUDY OF SiGe/Si HETEROSTRUCTURE ELECTRONIC DEVICES
机译:
SiGe / Si异质结构电子器件的研究
作者:
G. D. SHEN
;
J. X. CHEN
;
D S. ZOU
;
G. GAO
;
C. X. DU
;
D. X. XU
;
W. X. Nl
;
M. WILLANDER
;
G. V. HANSSON
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
20.
ANALYTICAL MODEL OF THE KINK EFFECT RELATED TO INTERFACE TRAPS IN In_(0.52)Al_(0.48)As / In_xGa_(1-x)As MODFET'S (X > 0.53)
机译:
In_(0.52)Al_(0.48)As / In_xGa_(1-x)As MODFET's(X> 0.53)的与界面陷阱有关的扭结效应的解析模型
作者:
YIMEN ZHANG
;
YONGJUN WU
;
YUMING ZHANG
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
21.
A Ferroelectric Thin Film Capacitor C-V Model
机译:
铁电薄膜电容器C-V模型
作者:
Chen Zheng
;
Tang Ting-Ao
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
22.
EFFICIENT LAYOUT STYLE OF CMOS OUTPUT BUFFER TO IMPROVE DRIVING CAPABILITY OF LOW-VOLTAGE SUBMICRON CMOS IC's
机译:
CMOS输出缓冲器的有效布局样式,可提高低压亚微米CMOS IC的驱动能力
作者:
Ming-Dou Ker
;
Chung-Yu Wu
;
Tao Cheng
;
Hun-Hsien Chang
;
Michael J.-N. Wu
;
T.-L
;
Yu
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
23.
STUDY OF THE PHOTOVOLTAGE AND ADSORPTION PROPERTIES OF TIN OXIDE/POROUS SILICON/SILICON
机译:
氧化锡/多孔硅/硅的光致电压和吸附性能的研究
作者:
QIHUA SHEN
;
WENZHANG ZHU
;
YUJIANG WANG
;
SUNTAO WU
;
YUSHUANG CAI
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
24.
ON THE CHOICE OF THE OPTIMUM SILICON SUBSTRATE FOR CCD/CMOS TECHNOLOGY
机译:
CCD / CMOS技术的最佳硅基质选择
作者:
P. BELLUTTI
;
M. BOSCARDIN
;
G. SONCINI
;
M. ZEN
;
N. ZORZI
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
25.
HIGH SPEED INTERCONNECTS ON SOI SUBSTRATES
机译:
SOI基板上的高速互连
作者:
A. Plettner
;
K. Haberger
;
A. Englmaier
;
H. Hartmann
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
26.
HIGH-INTEGRITY, ULTRA-THIN GATE OXIDES FOR ADVANCED ULSI
机译:
适用于高级ULSI的高完整性超薄门氧化物
作者:
MASATAKA HIROSE
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
27.
NEWLY DEVELOPED PASSIVATION OF GAAS SURFACES AND DEVICE
机译:
气体表面和设备的新开发钝化
作者:
Xun Wang
;
Xiaoyuan Hou
;
Zheshen Li
;
Xunming Ding
;
Xiying Chen
;
Xianan Cao
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
28.
GaAs/GaAIAs QUANTUM WELL INFRARED DETECTOR WITH BIAS-TUNED WAVELENGTH AND LARGE ABSORPTION BAND-WIDTH
机译:
具有Bias调谐波长和大吸收带宽的GaAs / GaAIAS量子阱红外探测器
作者:
CHUN-XIA DU
;
JUN DENG
;
QUN LI
;
GUANG-DI SHEN
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
29.
GRAPHICAL PRESENTATION OF INTEGRATED CIRCUIT CRITICAL AREAS FOR LITHOGRAPHIC DEFECTS
机译:
光刻缺陷的集成电路关键区域的图形表示
作者:
ZORAN STAMENKOVIC
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
30.
BIAS INDUCED COLOR-TUNED SEMICONDUCTOR DEVICES
机译:
偏置诱导的彩色调谐半导体器件
作者:
R. M. Kolbas
;
F. E. Reed
;
D. Zhang
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
31.
CAPACITANCE CHARACTERISTICS OF THE MOS STRUCTURE WITH FOWLER-NORDHEIM TUNNELING CURRENT
机译:
FOWLER-NORDHEIM隧道电流的MOS结构的电容特性
作者:
Yandong He
;
Mingzhen Xu
;
Changhua Tan
;
Yangyuan Wang
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
32.
Characteristics of Ultrathin Dielectric Films (< 5 nm) Grown or Annealed In a Nitric Oxide Ambient Using Rapid Thermal Processing
机译:
使用快速热处理在一氧化氮环境中生长或退火的超薄介电膜(<5 nm)的特性
作者:
Z.-Q. Yao
;
H. B Harrison
;
S. Dimitrijev
;
Y. T. Yeow
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
33.
STUDY OF THE LONGITUDINAL MICRO-DISTRIBUTION IN THE PRINCIPAL PARAMETER PROPERTIES OF LEC SI-GaAs
机译:
LEC Si-GaAs主参数性质中的纵向微观分布研究
作者:
Xiukun He
;
Qiongna Eu
;
Li Ding
;
Guangping Li
;
Xiaobing Guo
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
34.
STUDY OF THE THERMAL ANNEALING CHARACTERISTIC ON SI-GaAs WAFERS
机译:
Si-GaAs晶片的热退火特性研究
作者:
Guangping Li
;
Qiongna Ru
;
Jing Li
;
Xiukun He
;
Shenjun Niu
;
Xiaobing Guo
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
35.
TWO-DIMENSIONAL HYDRODYNAMXC SIMULATION OF HZGB ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS USING A BLOCK ITERATIVE SCHEME IN COMBINATION WITH FULL NEWTON METHOD
机译:
块迭代法与全牛顿法相结合的HZGB电子迁移率晶体管二维水力模拟
作者:
T. SIMLINGER
;
R. DEUTSCHMANN
;
C. FISCHER
;
H. KOSINA
;
S. SELBERHERR
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
36.
Ultra-thin-film Silicon-on-Insulator Structure Using Oxidized Porous Silicon
机译:
使用氧化多孔硅的超薄膜绝缘体上硅结构
作者:
Aizhen Li
;
Yiping Huang
;
Sixun Zou
;
Tingao Tang
;
Richard Kwor
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
37.
HIGH-QUALITY a-SiGe:H PRODUCED BY NANOMETER DEPOSITION AND HYDROGEN PLASMA ANNEALING
机译:
纳米沉积和氢等离子体退火制备的高质量a-SiGe:H
作者:
Jun Xu
;
Seiichi Miyazaki
;
Masataka Hirose
;
Kunji Chen
;
Duan Feng
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
38.
STUDY OF A MOS IMAGING SENSOR WITH PIN STRUCTURE
机译:
具有引脚结构的MOS成像传感器的研究
作者:
YOUSHU-HUANG
;
WEIAN-ZHU
;
QINGYI-HE
;
GUOLIN-LU
;
PENG-LIN
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
39.
CIRCUIT HOT CARRIER RELIABILITY SIMULATION IN ADVANCED CMOS TECHNOLOGY PROCESS DEVELOPMENT
机译:
先进CMOS技术工艺开发中的电路热载子可靠性仿真。
作者:
Peng Fang
;
Ping C. Li
;
John T. Yue
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
40.
CMOS Technology Evolution: From 1 μm to 0.1 μm
机译:
CMOS技术演进:从1μm到0.1μm
作者:
Yuan Taur
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
41.
THEORETICAL ANALYSIS OF STATIC INDUCTION THYRISTOR
机译:
静电感应晶闸管的理论分析
作者:
S.Y.LI
;
R.X.LIU
;
J.H.YANG
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
42.
THERMAL STRESS AND RELAXATION BEHAVIOR OF Al(Cu) SUBMICRON INTERCONNECTS
机译:
Al(Cu)亚微米互连的热应力和松弛行为
作者:
P.S. Ho
;
I.-S. Yeo
;
C.N. Liao
;
S.G.H. Anderson
;
H. Kawasaki
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
43.
The study of the convex corner compensation in anisotropic wet etching of (100) Si in aqueous KOH
机译:
KOH水溶液中(100)Si各向异性湿法腐蚀中凸角补偿的研究
作者:
Qingxin Zhang
;
Litian Liu
;
Zhijian Li
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
44.
MANIPULATION OF THE Ti/Si REACTION PATHS BY INTRODUCING AN AMORPHOUS Ge INTERLAYER
机译:
通过引入非晶Ge层来操纵Ti / Si反应路径
作者:
Z. MA
;
L. H. ALLEN
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
45.
METAL SILICON INTERFACIAL REACTIONS IN SOI
机译:
SOI中的金属硅界面反应
作者:
K.N. TU
;
H.K. LIOU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
46.
MeV ION IMPLANTATION AND APPLICATION (INVITED)
机译:
MeV离子植入和应用(已邀请)
作者:
Chengzhou Ji
;
Wuxing Lu
;
Guohui Li
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
47.
Silicon-on-Silicon Multichip Modules: Technology and Applications
机译:
硅上硅多芯片模块:技术和应用
作者:
Wayne Wei-Ming Dai
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
48.
MALU - AN ALU WITH SINGLE PERIOD MULTIPLICATION
机译:
MALU-单周期乘法的ALU
作者:
Yongmtng Li
;
Hongyi Chen
;
Zheng Yu
;
Tong Chu
;
Kun Bian
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
49.
ANALYTICAL MODEL OF COLLECTOR CURRENT DENSITY AND BASE TRANSIT TIME
机译:
集电极电流密度和基跃迁时间的解析模型
作者:
PINGXI MA
;
LICHUN ZHANG
;
YANGYUAN WANG
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
50.
SiC vs. Si: Two-Dimensional Analysis of Quasi-Saturation Behavior of DMOS Devices Operating at Elevated Temperatures
机译:
SiC与Si:在高温下运行的DMOS器件的准饱和行为的二维分析
作者:
Y. W. Chang
;
J. B. Kuo
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
51.
PLANARIZED Al PROCESSES FOR SUB-HALF MICRON VLSI INTERCONNECT TECHNOLOGY
机译:
亚半微米VLSI互连技术的计划Al工艺
作者:
B. Zhaol
;
C. H. Ting
;
L. Ta
;
P. K. Vasudev
;
M. A. Biberger
;
V. Hoffman
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
52.
A HIGH THROUGHPUT CMP PROCESS BY USING AN EPIC ECR DIRECTIONAL ION SOURCE FOR INTERMETAL DIELECTRIC
机译:
使用间质介电的EPIC方向性离子源实现高通量CMP工艺
作者:
Justin K. Wang
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
53.
DYNAMIC TRAPPING MODEL FOR ANALYSIS OF GaAs MESFETs AND QUANTUM WELL LASERS
机译:
GaAs MESFET和量子阱激光的动态阱模型
作者:
Zhiping Yu
;
Robert W. Dutton
;
Walter A. Harrison
;
Yi Liu
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
54.
0.25μm Low Power CMOS devices and Circuits from 8 inch SOI Materials
机译:
采用8英寸SOI材料的0.25μm低功耗CMOS器件和电路
作者:
B. A. Chen
;
A. S. Yapsir
;
S. Wu
;
R. Schulz
;
D. S. Yee
;
D. K. Sadana
;
H. J. Hovel
;
T. H. Ning
;
G. Shahidi
;
B. Davari
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
55.
A ± 1V FOUR-QUADRANT ANALOG BICMOS MULTIPLIER
机译:
±1V四象限模拟BICMOS乘法器
作者:
S.T.LEE
;
K.S.YEO
;
SAMIR S. ROFAIL
;
K.T.LAU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
56.
A SCHEME FOR EXTRACTING TRANSIENT MODEL PARAMETERS
机译:
暂态模型参数提取方案
作者:
Jin Zhang
;
Zhilian Yang
;
Lianbo Zhang
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
57.
EFFECT OF DEEP LEVELS ON THE PHOTO-SENSITIVITY IN GaAs SUBSTRATE AND MESFET DEVICE
机译:
深层对GaAs衬底和MESFET器件光敏性的影响
作者:
Raisheng HU
;
Xiaobing GUO
;
Zhihui ZHOU
;
Mian ZHANG
;
Guangpin LI
;
Xiukun HE
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
58.
LOW-TEMPERATURE EPITAXY OF PHOSPHORUS DOPED Si AND Si_(1-x)Ge_x FILMS BY RTP/VLP-CVD
机译:
通过RTP / VLP-CVD掺杂磷的Si和Si_(1-x)Ge_x薄膜的低温表观
作者:
XIAODONG HUANG
;
PING HAN
;
YOUDOU ZHENG
;
LIQUN HU
;
RONGHUA WANG
;
SHUNMING ZHU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
59.
LIMITS - SOME ARE MORE FUNDAMENTAL THAN OTHERS
机译:
局限性-比其他方面更重要
作者:
Lewis M. Terman
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
60.
LOAD-PULL SIMULATION FOR LARGE SIGNAL GaAsFET
机译:
大信号GaAsFET的负载-牵引仿真
作者:
SUN LINGLING
;
CHEN XIANE
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
61.
ACCURATE AND SIMPLE TIME DOMAIN MODEL OF INTERCONNECTS MODELED AS TRANSMISSION LINE NETWORKS
机译:
传输线网络互连模型的精确而简单的时域模型
作者:
Qingjian Yu
;
Ernest S. Kuh
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
62.
IONIZING RADIATION EFFECTS OF MOBILITY IN FLUOEINATED NMOSFETs
机译:
氟化NMOSFET的电离辐射效应
作者:
Guoqiang Zhang
;
Rongliang Yan
;
Wenyu Gao
;
Diyuan Ren
;
Yuanfu Zhao
;
Yuhong Hu
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
63.
THE DEVELOPMENT OF VLSI IN CHINA: PAST, PRESENT AND FUTURE
机译:
中国超大规模集成电路的发展:过去,现在和未来
作者:
XIDE XIE
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
64.
THE STUDY OF LIGHT DOPED CHROMIUM SI-GaAs SINGLE CRYSTAL IN THE LEC TECHNOLOGY
机译:
LEC技术中轻掺杂铬Si-GaAs单晶的研究
作者:
Jinliang Yuan
;
Dege Qi
;
Zhanping Lai
;
Shenjun Niu
;
Gengna Du
;
Yanfeng Liu
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
65.
LSP SPEECH SYNTHESIS ASIC ARCHITECTURE
机译:
LSP语音综合ASIC体系结构
作者:
Xingjun Wu
;
Yihe Sun
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
66.
THE ELECTRONIC CONDUCTION MECHANISM OF HYDROGENATED NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS
机译:
氢化纳米硅膜的电子传导机理
作者:
MINGBIN YU
;
JINSHENG LUO
;
YULIANG HE
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
67.
A STUDY ON THE ESTIMATION OF γ TOTAL-DOSE RADIATION HARDNESS OF OPERATIONAL AMPLIFIERS
机译:
运算放大器γ总剂量辐射硬度的估算研究
作者:
WUYUAN LIN
;
WANSHI SU
;
ZHIPU YOU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
68.
MICROSTRUCTURES.AND VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE OF EXCIMER LASER CRYSTALLIZED a-Si:H/a-SiN_x:H MULTI-QUANTUM WELLS
机译:
准分子激光结晶的a-Si:H / a-SiN_x:H多量子阱的微观结构和可见光致发光
作者:
ZHIFENG LI
;
XINFAN HUANG
;
WEI WU
;
TIANFU MA
;
KUNJI CHEN
;
XIAOYUAN CHEN
;
JUNMING LIU
;
ZHIGUO LIU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
69.
Modeling Higb-Level Free-Carrier Injection in Advanced Bipolar Junction Transistors
机译:
在高级双极结型晶体管中建模高水平自由载流子注入
作者:
Y. Yue
;
J. J. Liou
;
A. Ortiz-Conde
;
F. Garcia Sanchez
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
70.
THE TREND OF THE MICROPROCESSOR DESIGN TOWARD THE YEAR OF 2000 (INVITED)
机译:
2000年微处理机设计的发展趋势(邀请)
作者:
RUNDE ZHOU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
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1995年
71.
Microwave Oscillation of GaAs/AlAs Heterostructure Interval Transferred Electron Devices
机译:
GaAs / AlAs异质结构间隔转移电子器件的微波振荡
作者:
Fangshi Xue
;
Yanmao Deng
;
Chongren Zhang
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
72.
EFFECT OF n-GsAs SURFACE PREPARATION AND RF POWER ON THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF W-GaAs SCHOTTKY DIODE FABRICATED BY RF SPUTTERING
机译:
n-GsAs表面制备和RF功率对RF溅射制备的W / n-GaAs肖特基二极管电学特性的影响
作者:
A. Singh
;
L. Velasquez
;
G. Aroca
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
73.
Effective Channel Length of Submicron MOSFETs: Numerical Simulation, Physical Mechanisms, and Extraction Methods
机译:
亚微米MOSFET的有效沟道长度:数值模拟,物理机制和提取方法
作者:
R. Narayanan
;
A. Ortiz-Conde
;
J. J. Liou
;
F. J. Garcia Sanchez
;
A. Parthasarathy
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
74.
LOW RESISTIVITY EFFICIENT PASSIVATED SILICON SOLAR CELLS
机译:
低电阻率的钝化硅太阳能电池
作者:
JIQUN SHI
;
NING LI
;
ZHIYAO MA
;
HAIYAN OU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
75.
Accurate Simulation on Band-to-Band Tunneling induced Leakage Current Using A Global Non-Local Model
机译:
使用全局非局部模型的带间隧道感应泄漏电流的精确仿真
作者:
Jack Zezhong Peng
;
Sameer Haddad
;
James Hsu
;
Jian Chen
;
Steve Longcor
;
Chi Chang
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
76.
ADAPTIVE TESSELLATION FOR THE THREE-DIMENSIONAL SIMULATION OF DOPING PROFILES
机译:
三维三维模拟的自适应贴图法
作者:
E. LEITNER
;
S. SELBERHERR
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
77.
SIMPLE ANALYTICAL CHARGE CONTROL MODEL FOR MULTICHANNEL GaAs/AlGaAs BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS (HEMT)
机译:
基于多通道GaAs / AlGaAs的高电子迁移率晶体管(HEMT)的简单分析电荷控制模型
作者:
M. NAWAZ
;
GEIR U. JENSEN
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
78.
Film-induced Stress in Substrate/Film Structure
机译:
基材/膜结构中的薄膜诱导应力
作者:
Hancheng Liang
;
Shounan Zhao
;
Ganming Qin
;
K. Ken Chin
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
79.
LOGIC SYNTHESIS FOR PASS-TRANSISTOR DESIGN
机译:
晶体管设计的逻辑综合
作者:
VOJIN G. OKLOBDZIJA
;
B. DUCHENE
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
80.
MOLECULAR ELECTRONICS: NEW PROSPECTS FOR INFORMATION TECHNOLOGY
机译:
分子电子:信息技术的新前景
作者:
M. H. Pilkuhn
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
81.
MOSFET DRAIN ENGINEERING FOR LOW-POWER APPLICATIONS
机译:
低功率应用的MOSFET漏极工程
作者:
Felix Fujishiro
;
Lily Ding
;
Ed Nowak
;
Ying-Tsong Loh
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
82.
NUMERICAL CALCULATION OF I-V CHARACTERISTIC CURVES OF AN ION IMPLANTED GaAs MESFET
机译:
离子注入的GaAs MESFET的IV特性曲线的数值计算
作者:
Tung H. Weng
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
83.
OPTICAL CHARACTERISTICS OF ERBIUM DOPED AlGaAs-GaAs HETEROSTRUCTURES
机译:
掺OPEAlGaAs-GaAs异质结构的光学特性
作者:
Dahua Zhang
;
T. Zhang
;
R. M. Kolbas
;
J. M. Zavada
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
84.
TRANSIENT OPTO-ELECTRIC RESPONSE IN HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND IMPLICATIONS FOR HIGH SPEED SENSOR DEVICES
机译:
氢化非晶硅中的瞬态光电响应及其对高速传感器器件的影响
作者:
D.S. Shen
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
85.
TRAP KINETICS IN METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR STRUCTURES AT HIGH ELECTRIC FIELD
机译:
高电场下金属氧化物-半导电体结构中的陷阱动力学
作者:
LIU XIAOWEI
;
XU MINGZHEN
;
TAN CHANGHUA
;
WANG YANGYUAN
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
86.
2-DIMENSIONAL ANALYSIS AND EXPERIMENT OF PLANAR HIGH-VOLTAGE DEVICE TERMINAL
机译:
平面高压设备端子的二维分析与实验
作者:
Gong Xiaowu
;
Gao Yumin
;
Luo Jinsheng
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
87.
HYBRID INTEGRATED OPTOELECTRONIC PACKAGE FOR FIBER OPTIC RECEIVERS AND TRANSMITTERS
机译:
混合集成式光电封装,用于光纤接收器和发送器
作者:
J. Shawn Addington
;
Dan Moore
;
Aicha Elshabini-Riad
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
88.
DESIGN AND RESEARCH OF V-GROOVE SILICON AVALANCHE ELECTRON EMISSION ARRAY
机译:
V型槽硅雪崩电子发射阵列的设计与研究
作者:
DAZHONG ZHU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
89.
IMPLEMENTATION OF A 6.5MHZ 34-B NCO
机译:
6.5MHZ 34-B NCO的实现
作者:
Shi Yunhua
;
Sheng Shimin
;
Liu yue
;
Ji Lijiu
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
90.
INSTABILITY OF FIELD ELECTRON EMISSION FROM FEA
机译:
有限元分析中场电子发射的不稳定性
作者:
HAIBO SONG
;
QIONG LI
;
JINGFANG XU
;
XINFU LIU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
91.
INVESTIGATION OF CHANNELING IN FIELD OXIDE CORNERS BY THREE - DIMENSIONAL MONTE CARLO SIMULATION OF ION IMPLANTATION
机译:
离子注入的三维蒙特卡罗模拟研究场氧化角中的通道。
作者:
W. BOHMAYR
;
G. SCHROM
;
S. SELBERHERR
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
92.
A Numerical Study of the Effect of Base and Collector Structures on the Performance of AlGaAs/GaAs Multi-Finger HBTs
机译:
基极和集电极结构对AlGaAs / GaAs多指HBT性能影响的数值研究
作者:
A. Kager
;
J. J. Iiou
;
C. I. Huang
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
93.
A POLY-SILICON TFT MODEL FOR CIRCUIT SIMULATION
机译:
用于电路仿真的多晶硅TFT模型
作者:
Xudong Guan
;
Xiaoyan Liu
;
Ruqi Han
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
94.
A NEW METHOD FOR HIGH ASPECT X-RAY MASK FABRICATION
机译:
高纵横X射线掩模制造的新方法
作者:
S.X. KANG
;
H.Y. KANG
;
A. GRBLLI
;
A. ARCO
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
95.
DYNAMIC OXIDE CURRENT RELAXATION SPECTROSCOPY FOR THIN INSULATOR MOS STRUCTURE UNDER FOWLER-NORDHEIM STRESSES
机译:
FOWLER-NORDHEIM应力下薄绝缘子MOS结构的动态氧化物电流弛豫谱
作者:
Mingzhen Xu
;
Changhua Tan
;
Yandong He
;
Xiaowei Liu
;
Zhiyun Chen
;
Xiaorong Duan
;
Yangyuan Wang
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
96.
A RESEARCH ON POWER COMPLEMENTARY BIPOLAR TECHNOLOGY TO PREVENT PARASITIC OPERATION
机译:
防止寄生操作的功率互补双极技术的研究
作者:
J. H. Kim
;
C. J. Kim
;
H. S. Kang
;
Y. S. Jang
;
S. K. Lim
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
97.
DEVELOPMENT OF A 11/12 BIT COMPATIBLE HIGH-VOLTAGE D/A CONVERTER WITH OUTPUT TO 40V
机译:
开发出输出高达40V的11/12位兼容高压D / A转换器
作者:
ZONGUANG YU
;
GUILAN CHANG
;
HUI ZHAO
;
YIFENG ZHOU
;
XIAOBO HUA
;
JUYAN XU
;
LLNGJIE MENG
;
TONGLI WEI
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
98.
Realization of Storage Elements in Gate Arrays
机译:
门阵列中存储元素的实现
作者:
Yingxuan Li
;
Da Wan
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
99.
DEVELOPMENT OF OHMIC CONTACTS FOR COMPOUND SEMICONDUCTORS
机译:
复合半导体的欧姆接触的开发
作者:
Masanori MURAKAMI
;
Takeo OKU
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
100.
A MICROCONTROLLER WITH 100K BYTES EMBEDDED FLASH EEPROM
机译:
带有100K字节嵌入式闪存EEPROM的微控制器
作者:
Clinton Kuo
;
Thomas Toms
;
Mark Weidner
;
Henry Choe
;
Danny Shum
;
Ko-Min Chang
;
Philip Smith
会议名称:
《International conference on solid-state and integrated-circuit technology; 19951024-28; Beijing(CN)》
|
1995年
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