Institute for Microelectronics, TU Vienna Gusshausstrasse 27-29, A-1040 Vienna, Austria;
机译:基于二维电子气密度和电子迁移率的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管规格因子仿真
机译:GaN基高电子迁移率晶体管中漏极滞后和电流崩溃的二维瞬态仿真
机译:(In_xAl_(1-x)N / AlN)MQWs / GaN高电子迁移率晶体管的二维电子气特性的数值模拟
机译:块迭代法与投票,牛顿法相结合的二维高电子迁移率晶体管的水动力模拟
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:具有铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和工作特性:仿真研究
机译:新型(InxAl1-xN / AlN)MQWs / GaN高电子迁移率晶体管的二维电子气特性的数值模拟
机译:理想化高电子迁移率晶体管的二维瞬态仿真