高电子迁移率晶体管和调整二维电子气体电子密度的方法

摘要

本发明公开一种高电子迁移率晶体管和调整二维电子气体电子密度的方法，其中高电子迁移率晶体管包含一氮化镓层，一氮化铝镓层设置于氮化镓层上，氮化铝镓层具有一伸张应力，一源极电极以及一漏极电极设置于氮化铝镓层之上，一栅极电极设置于源极电极与漏极电极之间的氮化铝镓层上，至少一个氧化硅层埋入于氮化铝镓层中，其中氧化硅层是利用流动式化学气相沉积所制作，氧化硅层提升氮化铝镓层中的伸张应力。