摘要:ZnO是近十几年来倍受关注的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,是可用于制作短波长发光器件、大面积平板显示器件、太阳能电池、气体传感器等的重要材料。目前对于ZnO材料在光电子学领域的研究已经取得许多重要的进展。笔者测试了不同锌源温度下生长的Zn0薄膜室温PL谱,四个样品都显示出明显的带边发光峰。随锌源温度的降低,带边发光峰的强度逐渐增强,其紫外峰的位置依次为3.284eV, 3.284eV,3.293eV和3.296eV,出现了蓝移。在可见光区,锌源温度的降低使深能级发光峰更加显著,带边发光峰和深能级发光峰强度的比值迅速下降,Zn0薄膜的发光质量变差。