机译:MLC和TLC闪存存储的基于页面间的持久性增强低状态编码
School of Computing Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) Daejeon South Korea;
School of Computer Science and Engineering Kyungpo;
Encoding; Electron traps; Flash memories; Error correction codes; Degradation; Substrates; Threshold voltage;
机译:架构基于SLC / MLC / TLC混合Flash内存的SSD的技术概述
机译:通过利用MLC闪存的异构性来提高闪存设备的性能和容量
机译:基于MLC的闪存存储系统的闪存转换层下的可靠性增强设计
机译:具有32nm CMOS的V
机译:TLC闪存的特性。
机译:非对称编程:基于MLC NAND闪存的传感器系统的高度可靠的元数据分配策略
机译:节能MLC / TLC非易失性存储器的离线频繁值编码