反応性イオンエッチング（RIE），スパッタ及び化学気相成長法（CVD）におけるシミュレーション

摘要

半導体プロセスで，形状シミュレーションの研究が広く行 われ始め，10年以上が経過している．デザインルールの微 細化が進めば，プロセス開発はますます困難になる・これを 克服するため，シミュレーションの活用が重要である・そう したキャッチフレーズのもと，多くの研究開発が行われてき た． しかしながら，実状はどうであろうか．形状シミュレーシ ョンは，量産レベルのプロセス開発に十分に活用されている だろうか．ここで十分というのは，実験や試作を始める前に シミュレーションで仮想的に量産プロセスを設計あるいは開 発する，いわゆる先行ツールとしての活用を意味している． 半導体開発で先行ツールとして使われているのは，むしろプ ロセス／デバイスシミュレーションである．こちらは，所望 のデバイス特性を具現化する不純物分布のプロセスを決める 必須のツールとなっている．