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酸化ニッケルスパッタ膜の多孔性評価とNO_2検出特性

机译:氧化镍溅射膜的孔隙率评估和NO_2检测特性

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摘要

ガスセンサに用いられる酸化物半導体の多くはn型であrnるが,NiOは数少ないp型ガスセンサ材料の一つとして研rn究されてきた.その薄膜についても構造とガス検出特性の検rn討がなされている.例えば,STAMATAKI等及びrnFASAKI等はパルスレーザ蒸着によって堆積されたNiO薄rn膜の伝導タイプは蒸着中の酸素圧に依存すること,またH_2rnに対して高い感度を示すとことを報告している.Hotovyrn等はスパッタ膜の作製においてガス流量やアルゴンと酸素のrn混合比および熱処理温度を変えてNiO膜を作製し,その構rn造とNO_2やCOに対する感度を報告した.%NiO films were deposited by DC magnetron sputtering under various pressures from 0.12 to 12 Pa. The structure of the films was investigated using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and measurement of density and surface area. The films generally consisted of columnar grains. In the as-deposited films, as the pressure increased, voids developed between columnar grains and the density decreased with an abrupt increase in surface area. The surface area of a film with a low density considerably decreased after annealing at 400℃. The sensitivity of annealed films to NO_2 at a concentration of 1 ppm in dry air was also investigated. The highest sensitivity, 3.0, was obtained at 200℃ for the sensor made of a film with the lowest density deposited at 12 Pa.
机译:气体传感器中使用的大多数氧化物半导体都是n型,但是NiO已被研究为少数p型气体传感器材料之一。还研究了薄膜的结构和气体检测特性。例如,STAMATAKI等人和rnFASAKI等人报道,通过脉冲激光沉积法沉积的NiO薄膜的导电类型取决于气相沉积过程中的氧气压力,并且对H_2rn表现出很高的敏感性。 Hotovyrn等人通过改变气体流量,氩气和氧气的混合比以及溅射膜制备中的热处理温度来制备NiO膜,并报道了其结构和对NO_2和CO的敏感性。通过直流磁控溅射在0.12至12 Pa的各种压力下沉积%NiO膜。膜的结构采用X射线衍射,扫描电子显微镜和密度和表面积测量。该膜通常由柱状晶粒组成在沉积的薄膜中,随着压力的增加,柱状晶粒之间会形成空隙,并且密度会随着表面积的突然增加而降低。低密度薄膜的表面积在400°C退火后会明显减少。还研究了在干燥空气中以1 ppm的浓度将退火后的薄膜制成NO_2的情况.200°C时,由密度最低的薄膜制成的传感器在12 Pa下获得的最高灵敏度为3.0。

著录项

  • 来源
    《真空》 |2010年第3期|p.226-229|共4页
  • 作者单位

    富山大学大学院理工学研究部(〒939-8555 富山県富山市五福);

    富山大学大学院理工学研究部(〒939-8555 富山県富山市五福);

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