自己組織化分子リソグラフィーによるナノギャップ電極作製法の開発と応用

摘要

Recently, the research of low dimensional nano-structure with nanogap electrode has been intensively studied. In this paper, we describe the fabrication of nanogap electrodes using self-assemble lithography which has advantages of high precision, high yields, and high productivity on the fabrication. Next, single electron transistors (SETs), which consist of Nb nanogap electrode, single molecule of p-xylylenediamine, and Au nano-particle, are shown. Especially, the demonstration of these SETs is attributed to the good connection between Nb nanogap and p-xylylenediamine. Therefore, we introduce the analysis of nano-contacts between nanogap electrode and nano-materials.%近年における，10nmクラスの極微細構造に着目すると，様々な分野にてそのニーズがあり，また応用が期待されている．その際，最も耳にするものとしては，CMOSプロセスにおけるスケーリングダウンではないだろうか．ムーアの法則に端を発したITRSロードマップからは，今後10年余りで10nm程度の最少加工線幅が必要とされるとの指針が発表されており，一例としてDRAM half pitchにて表した最小加工線幅は，具体的に22nm，16nm，11nmと世代を経ることが予定されている．