磁気トンネル接合の成膜技術の進展

摘要

磁気トンネル接合（Magnetic Tunnel Junction=MTJ)は室温において巨大な磁気抵抗効果を示すことから)，ハードディスクドライブ（HDD)に搭載されている磁気へッドや磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM)に採用されている.さらに，高感度磁気センサーやマイクロ波発振素子，スピントランジスターなどへの応用も検討されており，MTJを搭載した電子デバイスはますます増えるであろう.%Magnetic tunnel junctions (MTJs) have already been used for electronics devices such as magnetic read-heads of hard-disk drives and magnetic random memories. As the performance of such devices advances year by year, the requirements for the MTJs are getting strict. In order to fulfill such strict requirements, stack structure and deposition process of the MTJs have also been improved. This article focuses on the magnetic read-heads and the magnetic random access memories, and describes the technical trend of MTJs and progress in sputtering deposition technology.