原子層堆積法を用いて製膜した極薄絶縁層を用いた 有機電界効果トランジスタ

摘要

We have produced stable organic field-effect transistors (OFETs) with an ultra-thin high-k gate insulator deposited directly on top of organic semiconductor by atomic layer deposition (ALD). We show that it is possible to fabricate devices with negligibly small threshold voltage and very low gate-bias-stress instability without sacrificing carrier mobility. These results indicate that the interface between organic semiconductor and gate insulator made by ALD is suitable to realize high-quality OFETs, operating at small gate voltage. In addition, the dielectric layer acts as a perfect passivation layer protecting organic semiconductors from degradation.%地球環境負荷の低減とエネルギーセキュリティの確保の観点から，現在，省エネルギー化，低コスト化，及び省資源化が実現可能な有機エレクトロニクスへの期待が高まっている.有機材料は，プリント技術などの低コスト製造プロセスを利用できる，形状的フレキシビリティを持ちあわせている，化学合成により材料の物性を自在に変化させることができる，希少元素など資源戦略的な材料を必荽としないなどの利点を持ち合わせており，次世代エレクトロニクスを実現する材料の有力候補の一つとして注目されている.既に，有機エレクト口ルミネッセンスに関しては，実用化が進み，携帯電話などのモパイル機器のディスプレイとして採用されている.更に，低価格のエレクトロニクス素子，フレキシブルディスプレイ用素子，電子タグなど実用化に向けた研究が精力的に進められている.