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机译:在介电基体上直接形成厚度可控的连续多层石墨烯薄膜
Waseda Univ, Dept Appl Chem, Shinjuku Ku, 3-4-1 Okubo, Tokyo 1698555, Japan;
Univ Tokyo, Dept Chem Syst Engn, Bunkyo Ku, 7-3-1 Hongo, Tokyo 1138656, Japan;
Waseda Univ, Dept Appl Chem, Shinjuku Ku, 3-4-1 Okubo, Tokyo 1698555, Japan;
Waseda Univ, Dept Appl Chem, Shinjuku Ku, 3-4-1 Okubo, Tokyo 1698555, Japan;
Waseda Univ, Waseda Inst Adv Study, Shinjuku Ku, 1-6-1 Nishi Waseda, Tokyo 1698050, Japan;
Waseda Univ, Dept Appl Chem, Shinjuku Ku, 3-4-1 Okubo, Tokyo 1698555, Japan|Waseda Univ, Waseda Res Inst Sci & Engn, Shinjuku Ku, 3-4-1 Okubo, Tokyo 1698555, Japan;
Multilayer graphene; Continuous films; Direct formation on substrate; Transfer-free deposition; Layer number control;
机译:非催化基材上纳米烯和纳米胶片的厚度控制的直接生长
机译:使用快速热处理在不同基材上的源自聚甲基丙烯酸甲酯的石墨烯薄膜:一种通过基材和聚合物层厚度控制薄膜性能的方法
机译:酒精化学气相沉积直接生长在蓝宝石衬底上的多层石墨烯纳米颗粒组成的石墨薄膜
机译:通过化学气相沉积路线简单地在介电基板上合成大面积多层石墨烯膜(通过CVD路线在介电基板上合成MLG膜)
机译:在单晶石英衬底上直接生长类石墨烯薄膜。
机译:挠性基底上单轴应变导电氧化石墨烯薄膜中厚度依赖性的裂纹扩展
机译:通过化学气相沉积途径简单地合成介电基板上的大面积多层石墨烯薄膜(通过CVD途径合成介电基板上的MLG薄膜)