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Titanium dioxide and suboxide thin films grown with controlled discharge voltage in reactive direct-current sputtering

机译:在反应性直流溅射中以受控的放电电压生长的二氧化钛和次氧化薄膜

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摘要

We have grown titanium dioxide and suboxide thin films using reactive direct-current magnetron sputtering methods. By monitoring the discharge voltage and plasma optical emission spectra at a constant current mode during the growth, we identified the oxidized conditions of metal target as well as the energy of plasma species, which characteristics were directly revealed in the structural and chemical properties of as-grown titanium oxide thin films. The films with a higher discharge voltage and a higher population of TiO* plasma turned out to have a dioxide configuration while ones with a lower voltage and a higher Ti* plasma are of multiple phases with suboxide counterparts.
机译:我们已经使用反应性直流磁控溅射方法生长了二氧化钛和次氧化钛薄膜。通过在生长过程中以恒定电流模式监控放电电压和等离子体发射光谱,我们确定了金属靶的氧化条件以及等离子体物质的能量,这些特征直接体现在as-的结构和化学性质中。生长的二氧化钛薄膜。事实证明,具有较高放电电压和较高TiO *等离子体填充量的薄膜具有二氧化钛结构,而具有较低电压和较高Ti *等离子体的薄膜则具有多相且具有低氧化物对应物。

著录项

  • 来源
    《Thin Solid Films》 |2019年第28期|14-21|共8页
  • 作者单位

    Jeju Natl Univ, Res Inst Basic Sci, Jeju 63243, South Korea;

    Jeju Natl Univ, Dept Phys, Jeju 63243, South Korea;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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