マイクロウエーブ展2010

摘要

東芝は、各種のミ1）波帯GaN HEMT（HighElectron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）を出展rnした。Ⅹ帯（8.5～9.6GHz）多段型GaN HEMT（写真1）は、従来GaAs FETで2段構成にしていたものをGaN HEMTで1パッケージにすることにより、製品の小型化を実現したものである。GaNの特長である高い電力密度を用いることでチップの小型化に成功した。