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スピントロ二クス研究を応用したデバイス開発

机译:利用自旋电子学研究进行设备开发

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摘要

スピントロニクスを応用したデバイス、MRAMは高速読み書きと無限大の書き換え回数を有する唯一の不揮 発メモリであるため、夢のメモリと言われている。しかし、書き込み電流が大きく、高集積化が困難だった。
机译:MRAM是使用自旋电子学的设备,据说是理想的存储器,因为它是唯一具有高速读/写和无限重写时间的非易失性存储器。但是,写入电流很大,难以实现高集成度。

著录项

  • 来源
    《OHM 》 |2012年第1期| p.25-27| 共3页
  • 作者

    興田 博明;

  • 作者单位

    (株)東芝 研究開発センター シニアフ工ロー;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
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