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机译:衬底顺应性和膜成分分级对逐层半导体异质外延中应变松弛的综合影响:InAs / In0.50Ga0.50As / GaAs(111)A
Computer simulations; Epitaxy; Equilibrium thermodynamics and statistical mechanics; Gallium arsenide; Indium arsenide; Semiconductor-semiconductor interfaces; Semiconductor-semiconductor thin film structures; Misfit dislocation formation; Free solid films; Inas/gaas(111)a heteroepitaxy; Morphological instability; Surface-morphology; Epitaxial multilayers; Interfacial stability; Critical thickness; Stressed solids; Segregation;
机译:高度错位的半导体异质外延错配错位应变弛豫的原子尺度成像-INAS / GAAS(111)A
机译:分子束外延生长GaAs衬底上应变弛豫与InxAl1-xAs成分梯度阶梯缓冲层的相互关系
机译:在Si(110)衬底上生长的成分均匀且渐变的SiGe薄膜中的应变松弛机制
机译:应变弛豫和in_xAl_(1-x)之间的相互关联作为分子束外延生长的GaAs底物上的组成分步缓冲层
机译:硅(100)和(111)上硒化镓的异质外延:用于形成纳米结构的新型硅相容半导体薄膜。
机译:GaSb / GaAs(111)A异质外延中的应变弛豫使用薄InAs中间层
机译:在Gaas兼容基板上的InGaas异质外延:X射线衍射证据表明增强的弛豫和改善的结构质量
机译:Gaas上Inas异质外延的晶格弛豫