机译:用QCM和AFM技术研究界面相互作用势对TNT膜在二氧化硅表面升华速率的影响。
Chemical Physics Laboratory, Department of Physics, Fisk University, 1000 17th Avenue, N Nashville, TN 37208, USA;
interface states; silicon oxides; evaporation and sublimation; atomic force microscopy;
机译:WWTPS中活性污泥细胞外聚合物物质和模型载体表面之间的相互作用:QCM-D,AFM和XDLVO预测的组合
机译:van逝波腔衰荡光谱作为界面吸附的探针:三(2,2'-联吡啶)钌(II)与二氧化硅表面和聚电解质膜的相互作用
机译:接触AFM技术估算聚合物-表面界面相互作用强度
机译:光学和原子力显微镜和椭圆形测定升华率和TNT和PETN核切割和生长的研究
机译:水源性薄膜及其与半导体表面的界面相互作用:光谱研究
机译:基于水泡试验技术的残余应力薄膜/基体系统表面和界面力学性能同步表征的理论研究
机译:渐逝波腔倒闭光谱作为界面吸附的探针:Tris(2,2'-Biphyridine)钌(II)与二氧化硅表面和聚电解质膜的相互作用