机译:Si(001)-c(2 x 4)表面上氢化硅局部排列的第一原理计算
Silicon; Silane; Semiconducting surfaces; Ab initio quantum chemical methods and calculations; Adsorption; Disilane; Decomposition; Sih4; Dissociation; Si(100)2x1; Hydrogen; Si2h6;
机译:Sb_4在Ge(001)和Si(001)表面上的吸附:扫描隧道显微镜和第一性原理计算
机译:κ-Al_2O_3(001)/ Al(771)界面上的原子排列和杂质键:第一性原理计算
机译:拉伸应变Si(001)表面上二聚体结构的对称演化:第一性原理密度泛函计算
机译:应变对Ge原子在Si和Ge(001)表面扩散的影响的第一性原理计算
机译:来自甲基硅烷和氢化硅的硅碳(001)气源分子束外延:碳掺入和表面偏析对生长动力学的影响。
机译:氢化硅(111)表面上接枝的2-和3-氨基硫酚的XPS分析
机译:硅上高K栅极氧化物的异质外延生长:来自的见解 si上的Zr的第一性原理计算(001)