...
机译:Si沉积对Si(111)上电迁移引起的台阶聚束不稳定性的影响
Ohio State Univ, Dept Phys, Columbus, OH 43210 USA;
atomic force microscopy; diffusion and migration; evaporation and sublimation; growth; step formation and bunching; surface diffusion; surface structure; morphology; roughness; and topography; SI(001) SURFACES; SHAPE TRANSITION; GROWTH; SILICON; SUBLIMATION; ANISOTROPY; PYRAMIDS; DOMES;
机译:Si(111)邻表面上电迁移引起的阶跃成束到阶跃过渡过渡。
机译:电迁移场缓和对Si(111)台阶聚束不稳定性发展影响的实验定量研究
机译:Si(111)上电迁移诱导的台阶聚束过程中扩散受限动力学的证据
机译:Si Adatoms在Si表面上的电迁移:在升华和MBE生长期间了解步骤束缚稳定性的关键
机译:电迁移在硅表面上引起阶跃不稳定性。
机译:电迁移诱导的形成单原子银触点的方向性步骤
机译:电迁移场对Si步骤束缚过程的影响(111)
机译:在碘预处理的阶梯表面上电沉积银的研究:pt(s)(6(111)x(111))