机译:化学制备的有序InP(001)表面
Novosibirsk State Univ, Inst Semicond Phys, Novosibirsk 630090, Russia;
Ecole Polytech, Phys Mat Condensee Lab, F-91128 Palaiseau, France;
Univ Roma Tor Vergata, Dipartimento Fis, I-00133 Rome, Italy;
Univ Roma Tor Vergata, CNISM, I-00133 Rome, Italy;
CNR, Ist Nazl Fis Mat, I-00133 Rome, Italy;
Univ Paris 11, LURE, F-91405 Orsay, France;
Ecole Natl Super Chim Paris, Lab Phys Chim Surface, F-75231 Paris 05, France;
InP; HCl-isopropanol treatment; passivation; low energy electron diffraction; soft X-ray photoemission; reflectance anisotropy spectroscopy; ATOMIC-STRUCTURE; GAAS(100) SURFACES; INP(100) SURFACES; INP SURFACES; P-RICH; PHOTOEMISSION; HCL; SPECTROSCOPY; ANISOTROPY; RECONSTRUCTIONS;
机译:在HCl中通过光电化学阳极氧化在(001)n-InP表面上形成<001>排列的纳米级孔
机译:金属-有机相-表位-环氧样品超高压脱嵌制备的INP(001)表面的扫描隧道显微镜研究
机译:湿化学清洗在加热的(001)InP表面上生长的等离子体氧化物
机译:通过湿的电化学工艺在INP(001)表面上的亚诺级选择性蚀刻和纳米尺度孔阵列形成
机译:并五苯在清洁和化学修饰的Silicon(001)表面上的表面化学性质。
机译:INP和AlinP(001)(2×4)表面氧化密度泛函理论
机译:在INP(001),INP(111)B和INP(011)表面上生长的平面内INA的选择性区域化学束外延一维通道