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机译:使用PEEM在驻波模式下对用于13.5 nm光刻的多层掩模的相缺陷检查
Institut fuer Physik, Johannes Gutenberg- Universitaet Mainz, Staudingerweg 7, 55128 Mainz, Germany;
extreme ultraviolet lithography (EUVL); photoemission electron microscopy (PEEM); EUV-PEEM; defect analysis; multilayer mask blanks;
机译:EUVL多层掩模坯料光化缺陷检测的新方法:驻波光发射电子显微镜
机译:通过光发射电子显微镜在波长范围内检查极紫外光刻掩模坯料中的40 nm以下缺陷
机译:光电发射显微技术检测极紫外光刻多层掩模板的高分辨率光化缺陷
机译:用于ArF光刻的65nm工艺节点Alt-PSM的相缺陷可印刷性和掩模检查能力
机译:用于光刻的DUV和EUV光掩模中非平面相和多层缺陷的快速仿真方法。
机译:多层体外软组织模型中基于模型的定量光学活检用于非黑素瘤皮肤癌的全场评估
机译:驻波照度偏移对半导体缺陷进行超分辨光学检查的实验验证