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Quantum conductance of In nanowires on Si(111) from first principles calculations

机译:基于第一性原理计算的Si(111)上In纳米线的量子电导

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摘要

The quantum conductance of the paradigmatic quasi-one-dimensional In/Si(111) surface system is calculated for 4×1,4×2 and 8×2 surface reconstructions. In agreement with experiment, we find the recently suggested formation of hexagons within the In nanowires [C. Gonzalez, F. Flores, J. Ortega, Phys. Rev. Lett. 96 (2006) 136101] to drastically modify the electron transport along the In chains. In contrast, the formation of trimers barely changes the quantum conductance.
机译:计算了4×1、4×2和8×2表面重建的准准一维In / Si(111)表面系统的量子电导。与实验一致,我们发现了最近建议的In纳米线内六边形的形成[C.冈萨雷斯,弗洛雷斯,J。奥尔特加,物理学。牧师96(2006)136101]彻底改变了沿In链的电子传输。相反,三聚体的形成几乎不改变量子电导。

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