机译:室温下Si(100)-2×1表面C型缺陷的转变-STM / STS研究
Charles University in Prague, Faculty of Mathematics and Physics, Department of Surface and Plasma Science, V HoleSovickach 2, 180 00 Praha 8, Czech Republic;
scanning tunneling microscopy; scanning tunneling spectroscopies; silicon; surface defects; surface electronic phenomena (work; function, surface potential, surface states, etc.); Surface structure, morphology, roughness, topography;
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