Si(100)表面STM电子束光刻技术的研究

摘要

论述了ＳＴＭ电子束光刻技术的机理与特点，利用ＨＺＮＡＮＯ－Ⅳ型ＳＴＭ进行了Ｓｉ（１００）表面光刻试验，详细探索了试验原理，方案和工艺步骤，并对试验结果进行了分析。在大气环境下获得了深度〈１００ｎｍ，宽度〈２５ｎｍ的刻蚀线。