机译:吸附在β-Si_3N_4(0001)表面上的水的结构,电子和能量性质:第一性原理计算
Division of Material Theory Group, Department of Physics and Materials Science, Uppsala University, Box 530, S-751 21 Uppsala, Sweden;
Division of Material Theory Group, Department of Physics and Materials Science, Uppsala University, Box 530, S-751 21 Uppsala, Sweden Applied Materials Physics, Department of Materials and Engineering, Royal Institute of Technology (KTH), S-100 44 Stockholm, Sweden;
rnDivision of Material Theory Group, Department of Physics and Materials Science, Uppsala University, Box 530, S-751 21 Uppsala, Sweden Applied Materials Physics, Department of Materials and Engineering, Royal Institute of Technology (KTH), S-100 44 Stockholm, Sweden;
water-semiconductor interface; silicon nitride; density functional theory;
机译:清洁GaN(0001)表面的结构和电子性能的第一性原理计算
机译:吸附在α-Al2O3(0001)表面上的水膜:第一性原理分子动力学模拟的结构性质和动力学行为
机译:ZnO(0001?)和(0001)(√3×√3)-R30°表面的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:激光诱导的表面结构工程和氧气吸附TIC(111)表面的性能:第一原理计算
机译:第一性原理研究半导体表面的电子结构和光学特性的统一方法,用于精确计算量子角动量的耦合系数。
机译:铁吸附对氧化锌(0001)表面电子和光催化性能的影响:第一性原理研究
机译:单斜氧化镁表面的结构和电子性质的第一性原理计算