ТРАНСФОРМАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ НАНОПЛЕНОК ИТТЕРБИЯ, ИНДУЦИРОВАННАЯ АДСОРБИРОВАННЫМИ НА ИХ ПОВЕРХНОСТИ МОЛЕКУЛАМИ МОНООКСИДА УГЛЕРОДА

摘要

Исследована адсорбция молекул монооксида углерода (СО) на нанопленках иттербия толщиной 16-200 монослоев (6.1-76 нм). Пленки выращивали на текстурированных вольфрамовых лентах с преимущественной ориентацией поверхности (100). Показано, что иттербий до адсорбции молекул СО находится в двухвалентном состоянии с электронной конфигурацией [Хе]4f~(14)6.s~2. При адсорбции молекул газа в пленках в области, прилегающей к поверхности, формируется слой, в котором иттербий трехвалентен (электронная конфигурация [Хе]4f~(13)5d~16s~2). Определена минимальная толщина модифицированного адсорбированными молекулами СО слоя иттербия — 16 монослоев, или 6.1 нм, что является аномально большой величиной, не имеющей аналогов в литературе.