ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕРМИЧЕСКОГО И ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА НА ПРОФИЛИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ АТОМОВ В Si (111), ИМПЛАНТИРОВАННОМ ИОНАМИ Р~+ И В~+

摘要

Представлены результаты исследования влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов Р и В в Si (111), имплантированных с различной энергией и дозой облучения. Показано, что в результате имплантации ионов с большой дозой и проведения термического и лазерного отжига в приповерхностной области Si (111) удается получить практически равномерное распределение атомов примеси. Поэтапной имплантацией ионов Р~+ и В~+ в разные стороны Si (111) с постепенным уменьшением энергии и дозы облучения получены р-i-n-структуры с управляемой толщиной р- и n-областей, что имеет важное практическое значение при создании различных приборных структур.