ДЛИННОВОЛНОВЫЕ ОСЦИЛЛЯЦИИ ИНТЕНСИВНОСТИ ПУЧКА ЭЛЕКТРОНОВ, ЗЕРКАЛЬНО ОТРАЖЕННОГО ОТ ПОВЕРХНОСТИ РАСТУЩЕЙ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ

摘要

Предлагается новый механизм возникновения длинноволновых осцилляций интенсивности пучка электронов, зеркально отраженного от поверхности растущей гетероэпитаксиальной пленки. В основе его лежит квантовый размерный эффект в тонкой монокристаллической пленке. Приведена графическая иллюстрация результатов расчета. Предложены способы экспериментального наблюдения предсказываемых эффектов.%A new mechanism of long-wave electron specular beam intensity oscillations during heteroepitaxial film growth is proposed. This mechanism is based on a quantum size effect in a thin single crystal film. A graphic illustration of calculation results is given. Methods for experimental observation of predicted effects are proposed.