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机译:GaAsBi / AlGaAs单量子阱异质结构中的太赫兹带间跃迁
Imam Abdulrahman Bin Faisal Univ Coll Sci Dept Phys POB 1982 Dammam 31441 Saudi Arabia|Imam Abdulrahman Bin Faisal Univ Basic & Appl Sci Res Ctr POB 1982 Dammam 31441 Saudi Arabia;
Terahertz region; Intersubband transitions; Optical absorption coefficient; GaAsBi quantum well; Active layer thickness; Incidence angle;
机译:太赫兹电致发光源于GaAs / AlGaAs量子级联结构中的空间间接子带间跃迁
机译:自旋轨道相互作用对GaAs / AlGaAs量子阱异质结构中子带间电子跃迁的影响
机译:n型调制掺杂Algaas / Gaasbi量子阱异质结构的功率丢失机制
机译:子带间散射对AlGaAs / GaAs单层异质结构载流子速度的影响
机译:基于量子阱中子带间跃迁的新型太赫兹器件
机译:强倾斜磁场中级联GaAs / AlGaAs量子阱结构的Landau能级系统中的子带太赫兹跃迁
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