基于量子限制的受主带间跃迁太赫兹探测器的制备与测量

摘要

使用分子束外延生长设备,在GaAs (100)衬底上生长了量子阱宽度为3 nm的GaAs/AlAs多量子阱样品,并在量子阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂.根据量子限制受主从束缚态到非束缚态之间的跃迁,设计并制备了δ-掺杂Be受主GaAs/A1As多量子阱太赫兹光探测器原型器件.在4.2K温度下,分别对器件进行了太赫兹光电流谱和暗电流-电压曲线的测量.在6V直流偏压下,空穴载流子沿量子阱层方向输运.当正入射激光频率为6.8 THz时,器件响应率为2×10-4 V/W(2μA/W).通过器件的暗电流-电压曲线计算了器件全散粒噪声电流,在4.2K、6V直流偏压下,全散粒噪声电流为5.03 fA·Hz-1/2.