机译:4.5 kV 4H-SiC肖特基二极管的势垒高度均匀性
Inst Natl Sci Appl, Phys Mat Lab, CNRS, UMR 5511, F-69621 Villeurbanne, France;
Inst Natl Sci Appl, CNRS, UMR 5005, CEGELY, F-69621 Villeurbanne, France;
CSIC, CNM, Bellaterra 08193, Barcelona, Spain;
SiC; Schottky diode; barrier height;
机译:肖特基势垒二极管壁集成沟槽MOSFET的4H-SiC m面{1(1)over-bar00}上的肖特基势垒高度的评估
机译:后退火工艺可改善Ti / Al 4H-SiC肖特基势垒二极管中肖特基势垒高度的不均匀性
机译:后退火对4H-SiC肖特基势垒二极管中不稳定肖特基势垒高度的高阻失效修复的研究
机译:具有几乎相同的肖特基势垒高度的1.2kV,100A,4H-SiC(0001)和(000-1)结势垒肖特基二极管的制造
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台
机译:高能电子辐照对肖特基势垒高度和Ni / 4H-siC肖特基二极管的Richardson常数的影响