机译:电学和结构性能对通过等离子体辅助电子束沉积制备的未掺杂ZnO薄膜的膜厚的依赖性
Kochi Univ Technol, Res Inst, Mat Design Ctr, Tosayamada, Kochi 7828502, Japan;
polycrystalline undoped ZnO films; plasma-assist electron-beam deposition; Hall effect measurement; X-ray diffraction; atomic force microscopy; ION PLATING METHOD; PHOTOVOLTAIC DEVICES;
机译:未掺杂ZnO薄膜的结构,电学和光学行为的厚度依赖性
机译:电子束蒸发在石英衬底上制备的氧化铟锡纳米纤维薄膜的结构和光学性能的厚度依赖性
机译:厚度对(002)择优取向未掺杂ZnO薄膜的应力,结构,电学和传感性能的影响
机译:在不同氧气压力下通过脉冲激光沉积制备的未掺杂和掺杂Cu的ZnO薄膜的结构和光学性质
机译:金属有机化学气相沉积法制备钽酸钽铌酸钾薄膜的结构,介电和光学性质
机译:射频溅射制备Ga掺杂ZnO薄膜的光电性能和电稳定性
机译:电子束物理气相沉积法制备纳米CGO薄膜的电学性能