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机译:内置电场对InGaN / GaN耦合量子阱中电子拉曼散射的影响
College of Physics and Electronic Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China;
College of Physics and Electronic Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China;
raman scattering; differential cross-section; built-in electric field; InGaN/GaN coupled quantum wells;
机译:内置电场对抛物线INXGA1-XN / GaN量子点电子拉曼散射的影响
机译:纤锌矿InGaN / GaN耦合量子点中的内置电场效应
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机译:电子全全息术中GaN / Ingan / GaN单量子孔的分析电场
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:电场和磁场对锌共混对称InGaN / GaN多量子点中杂质结合能的影响
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