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机译:栅漏电流感应散粒噪声对InAlAs / InGaAs双栅HEMT最小噪声系数的影响
Keshav Mahavidyalaya, Department of Electronics, University of Delhi, New Delhi, India;
Department of Electronic Science, A.R.S.D. College, University of Delhi, South Campus, New Delhi, India;
Department of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Institute of Technology, Sector-22, Rohini, New Delhi, India;
Semiconductor Device Research Laboratory, Department of Electronic Science, University of Delhi, New Delhi, India;
Double-gate; Gate leakage; HEMT; Hot carrier; InAlAs/InGaAs; Minimum noise figure; Noise; Shot noise;
机译:InAlAs / InGaAs双栅HEMT噪声性能评估的栅漏电容相关模型
机译:栅极漏电流引起的散粒噪声影响的分析噪声模型,用于亚微米级栅长高电子迁移率晶体管
机译:一种简单的方法,包括栅极泄漏,用于计算GaN HEMT的最小噪声系数
机译:Monte Carlo Inalas / Ingaas双门和标准垫的噪声性能比较
机译:使用自适应最小作用方法研究非梯度系统中噪声诱发的过渡路径。
机译:离子通道门控电流的波动。非平稳散粒噪声分析。
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:通过选择性侧壁凹陷消除Inalas / InGaas异质结中的台面 - 侧壁漏电