机译:源极掺杂分布对氧化物厚度的影响对单栅和双栅隧道场效应晶体管性能的影响
Faculty of Physics. University of Dalat, Lam Dong 671460, Viet Nam;
Department of Electrical Engineering National Chi Nan University, Nantou 54561, Taiwan;
Source doping effects; EOT scaling; Band-to-band tunneling; Tunnel field-effect transistor; Low-bandgap TFET;
机译:漏极掺杂分布对双栅隧道场效应晶体管的影响及其对器件射频性能的影响
机译:使用通道掺杂工程的超缩放双栅极石墨烯纳米隧道场效应晶体管的性能提高:量子仿真研究
机译:具有垂直高斯型掺杂轮廓的短沟道双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的电势分布和阈值电压的二维模型
机译:双栅扩展源极隧穿场效应晶体管的射频和稳定性能分析
机译:深亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管中的价带电子隧穿。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:源掺杂轮廓对横向和垂直隧道场效应晶体管器件特性的影响
机译:In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)作为调制掺杂场效应晶体管的两步外延实现的性能特征:分子束外延再生的影响