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机译:基于电荷等离子体的源极/漏极工程肖特基势垒MOSFET:双极抑制和RF性能改善
Department of Electronics and Communication Engineering, Madanapalle Institute of Technology and Science;
Department of Electronics and Communication Engineering, PDPM Indian Institute of Information Technology, Design & Manufacturing Jabalpur;
Charge plasma; Schottky barrier; Ambipolar leakage current; Dual material; Erbium silicide;
机译:具有栅工程的基于栅控电荷等离子体的TFET,用于双极性抑制和RF /线性性能改善
机译:基于电荷等离子体概念的低功率应用Ptsi肖特基屏障P-MOSFET性能改进与分析
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