机译:线边缘粗糙度对14nm FinFET性能的影响:器件-电路协同设计
Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology;
Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology;
FinFET; Line edge roughness; Resist-defined; Spacer-defined; SRAM; Variability;
机译:线边缘粗糙度的相关长度对14nm反转模式和无结FinFET的可变性的影响
机译:NBTI相关的可变性对14纳米节点FinFET SRAM性能和静态功耗的影响:与时间零波动的相关性
机译:功函数变化和线边缘粗糙度对TFET和FinFET器件以及32位CLA电路的影响†
机译:栅极线边缘粗糙度对双栅极FinFET性能可变性的影响
机译:用于能效的Sub-10nm双栅极FinFet的装置电路分析
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)
机译:工作函数变化和线边缘粗糙度对TFET和FinFET器件以及32位CLa电路的影响