机译:使用DC和AC方法在InGaP / GaAs HBT中测量的GaAs中电子饱和速度的温度依赖性
Department of Electrical Engineering, National Central University, Chung-Li, Taiwan 32054, Republic of China;
electron effective saturation velocity; heterojunction bipolar transistor; HBT; kirk effect; transit time;
机译:在InGaP / GaAs / InGaP DHBT中测得的InGaP电子电离系数的温度依赖性
机译:AlGaAs / GaAs和InGaP / GaAs HBT的电流增益,理想因子和失调电压的温度依赖性
机译:InGaP-GaAs-InGaP DHBT中电子碰撞电离的温度依赖性
机译:新型InGaP / GaAs HBT的直流和交流特性中的隧道效应
机译:高功率铝的制造:用于光学泵浦的0.8微米至1.0微米的InGaAsP / InGaP / GaAs激光器
机译:GaAs / AlGaAs量子阱中自旋弛豫的温度和电子密度依赖性
机译:InGaP / GaAs / AlGaAs功率DHBT在饱和区附近具有增强的线性
机译:OmVpE生长的N-p-n InGap / InGaasN DHBT的DC特性