机译:应变和极化对AlGaN / 4H-SiC HBT性能影响的理论研究
U.S. Naval Research Laboratory, Power Electronic Materials Section, 4555 Overlook Avenue, SW, Washington, DC 20375, USA;
heterojunction bipolar transistor; polarization; strain; nanostructure; GaN; SiC;
机译:层掺杂和厚度对NPN AlGaN / GaN HBT预测性能的影响
机译:具有极化梯度AlGaN背势垒层的InAlN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的理论研究
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机译:工艺参数对单点增量成形菌株的影响的理论与实验研究
机译:具有色散,偏振模色散,偏振相关损耗和放大器自发噪声的光纤网络系统性能的理论计算
机译:双异质结硅衬底上AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的理论和实验研究
机译:不同碳涂层对LiFepo4阴极去极化效应和电化学性能的理论研究