机译:半导体器件建模中扩散近似的物理局限性
All-Russia Electrotechnical Institute. Krasnokazarmennaya 12, 111250 Moscow, Russia;
All-Russia Electrotechnical Institute. Krasnokazarmennaya 12, 111250 Moscow, Russia;
Ioffe Physico-Technical Institute of Russian Academy of Sciences, 26 Politekhnicheskaya, 194021 St. Petersburg, Russia;
All-Russia Electrotechnical Institute. Krasnokazarmennaya 12, 111250 Moscow, Russia;
transport phenomena; forward biased bipolar structures; high current density;
机译:高温下半导体器件的物理极限和寿命极限
机译:半导体器件建模中准流体力学类型的弛豫时间近似
机译:基于能量和动量守恒的有机半导体器件中活化能的物理建模
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机译:碳化硅功率结场效应晶体管的物理模型和半导体器件的模型级别。
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机译:利用半导体器件方程的显式逼近建立电源引脚二极管的状态变量 - 一种新的方法
机译:半导体器件中量子输运的建模(超亚微米长半导体器件的物理和操作)。