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机译:用于高速DRAM应用的低抖动混合模式DLL
CMOS memory circuits; DRAM chips; clocks; delay lock loops; high-speed integrated circuits; jitter; mixed analogue-digital integrated circuits; 0.6 micron; 200 MHz; 3.3 V; 33 mW; 6.38 ps; I/O peripherals; clock deskewing method; deskewing circuits; die area; high-speed;
机译:用于高速DRAM应用的低抖动混合模式DLL
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