机译:1T-1C铁电随机存取存储器的基于电流的参考生成方案
cellular arrays; ferroelectric storage; random-access storage; reference circuits; 0.35 micron; 16 Kbit; 1T-1C ferroelectric random-access memories; 3 V; 62 ns; FeRAM; access time; bitline lengths; bitline voltage; cell sizes; current-based reference-generation scheme;
机译:1T-1C铁电随机存取存储器的基于电流的参考生成方案
机译:铁电随机存取存储器(FeRAM)的差分电容读取方案(DCRS)的电路实现
机译:用于铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管的铁电氧化ha
机译:增加1T-1C铁电随机存取存储器的检测裕度
机译:用于非易失性和动态随机存取存储器的铁电和电极材料的处理和表征
机译:夹有超薄铁电薄膜的出色低压操作柔性铁电有机晶体管非易失性存储器
机译:铁电随机存取存储器(FeRAM)的差分电容读取方案(DCRS)的电路实现