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【24h】

Low-Power Voltage-Controlled Oscillators in 90-nm CMOS Using High-Quality Thin-Film Postprocessed Inductors

机译:采用高质量薄膜后处理电感的90nm CMOS低功耗压控振荡器

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摘要

Wafer-level packaging (WLP) technology offers novel opportunities for the realization of high-quality on-chip passives needed in RF front-ends. This paper demonstrates a thin-film WLP technology on top of a 90-nm RF CMOS process with one 15-GHz and two low-power 5-GHz voltage-controlled oscillators (VCOs) using a high-quality WLP or above-IC inductor. The 5-GHz VCOs have a power consumption of 0.33 mW and a phase noise of -115 dBc/Hz and -111 dBc/Hz at 1-MHz offset, respectively, and the 15-GHz VCO has a phase noise of -105 dBc/Hz at 1-MHz offset with a power consumption of 2.76 mW.
机译:晶圆级封装(WLP)技术为实现RF前端所需的高质量片上无源器件提供了新的机会。本文演示了在90 nm RF CMOS工艺之上的薄膜WLP技术,该工艺采用一个15 GHz和两个低功耗5 GHz压控振荡器(VCO),并使用了高质量WLP或高于IC的电感器。 5 GHz VCO的功耗为0.33 mW,在1 MHz偏移处的相位噪声分别为-115 dBc / Hz和-111 dBc / Hz,而15 GHz VCO的相位噪声为-105 dBc偏移为1 MHz时的/ Hz,功耗为2.76 mW。

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