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机译:针对跨层工艺变化的3D可堆叠垂直门BE-SONOS NAND闪存的层感知程序读取方案
Macronix International Co., Ltd, Hsinchu, Taiwan;
3D; NAND flash; background-pattern-dependency; program-verify; vertical-gate;
机译:带隙工程SONOS(BE-SONOS)闪存的可靠性和处理效果以及门堆叠扩展能力的研究
机译:建议使用3D NAND闪存的改进工艺技术在一个硅柱内进行并行处理的堆叠式Fe-FET可重构逻辑电路
机译:折叠式NAND阵列的3维梯形NAND(3D TNAND)闪存堆叠版本
机译:3D可堆叠垂直门BE-SONOS NAND闪存,具有可感知层的编程和读取方案以及针对跨层工艺变化的波传播失败位检测
机译:闪存(NAND)微加工中的浅沟槽隔离工艺。
机译:用于减少Z干扰的垂直NAND闪存的新型程序方案
机译:通过容忍早期保留损耗和过程变化,改善3D NAND闪存寿命