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Band Model and Its Application to Describe the Structure of the Valence Band of Layered Semiconductors Based A2VB3VI

机译:能带模型及其在描述基于A2VB3VI的层状半导体价带结构中的应用

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摘要

The valence band of most semiconductors has a complex structure. When the band structure is not well understood, it is traditionally used two-band model with two nonequivalent extremes, the picture for which the valence band is shown in Figure 1.
机译:大多数半导体的价带具有复杂的结构。当不能很好地理解带结构时,通常使用具有两个非等效极端的两带模型,其价带如图1所示。

著录项

  • 来源
    《Smart nanocomposites》 |2013年第1期|93-95|共3页
  • 作者

    S. A. Nemov; N. M. Blagikh;

  • 作者单位

    St. Petersburg State Polytechnical University, St. Petersburg, Russia;

    St. Petersburg State Polytechnical University, St. Petersburg, Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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