机译:能带模型及其在描述基于A2VB3VI的层状半导体价带结构中的应用
St. Petersburg State Polytechnical University, St. Petersburg, Russia;
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机译:使用价带抗衡模型计算的ana1-xbixandinb1-xbixalloy半导体的价带结构
机译:基于它们的带空隙确定半导体纳米粒子的导通带和价带的位置
机译:通过紫外光发射光谱和能带计算研究了层状硫族硫属元素LaCuOCh(Ch = S,Se和Te)的价带结构
机译:基于带隙半导体的多层结构建模
机译:紫外光电子能谱分析半导体量子点和宽带隙氧化物界面的价电子结构。
机译:使用价带反交叉模型计算的InAs1-xBix和InSb1-xBix合金半导体的价带结构
机译:通过紫外光发射光谱和能带计算研究了层状硫族硫属元素LaCuOCh(Ch = S,Se和Te)的价带结构
机译:具有退化价带的直带隙立方半导体中激子的精细结构和能谱。