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机译:基于Pd / Al_(0.24)Ga_(0.76)As的场效应晶体管型氢传感器的综合研究
transient response; Pd/AlGaAs; field-effect-transistor; hydrogen sensor;
机译:Al_(0.24)Ga_(0.76)As和In_(0.49)Ga_(0.51)P肖特基接触层的Pd金属氧化物半导体(MOS)晶体管的氢感测特性的综合研究
机译:在具有Pd / Al_(0.24)Ga_(0.76)As金属半导体肖特基栅极的基于GaAs的晶体管型氢感测探测器上
机译:基于Pd-氧化物-Al / sub 0.24 / Ga / sub 0.76 / As(MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)的氢传感器
机译:下沉栅对Al_(0.24)Ga_(0.76)As / In_(0.22)Ga_(0.78)As双异质结高电子迁移率晶体管的影响
机译:葡萄糖诱导HepG2细胞中6-磷酸葡萄糖脱氢酶(G6PD)基因调控的研究及荧光原位杂交(FISH)研究G6PD mRNA的定位
机译:通过使用选择性退火制备的肖特基型金属半导体 - 金属Al0.24Ga0.76N uV传感器
机译:Al_ {0.13} Ga_ {0.87}作为量子阱中大天空粒子的NMR研究