机译:在具有Pd / Al_(0.24)Ga_(0.76)As金属半导体肖特基栅极的基于GaAs的晶体管型氢感测探测器上
Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng-Kung University, 1 University Road, Tainan, Taiwan 70101, Republic of China;
机译:Al_(0.24)Ga_(0.76)As和In_(0.49)Ga_(0.51)P肖特基接触层的Pd金属氧化物半导体(MOS)晶体管的氢感测特性的综合研究
机译:基于Pd / Al_(0.24)Ga_(0.76)As的场效应晶体管型氢传感器的综合研究
机译:Pd / GaN和Pd / Al_(0.3)Ga_(0.7)As肖特基二极管的氢感测特性比较
机译:下沉栅对Al_(0.24)Ga_(0.76)As / In_(0.22)Ga_(0.78)As双异质结高电子迁移率晶体管的影响
机译:用有机稳定的Pd和Pd合金纳米颗粒进行氢(H2)感测和催化。
机译:通过使用选择性退火制备的肖特基型金属半导体 - 金属Al0.24Ga0.76N uV传感器
机译:基于同步加速器的光致发光激发光谱用于研究AlN和$ Al_ {0.94} Ga_ {0.06} N $的价带分裂