机译:同质外延生长的多孔GaN / SiC模板:内置应力对多孔结构形成的影响
AF Ioffe Phys Tech Inst, St Petersburg 194021, Russia;
MOLECULAR-BEAM EPITAXY; RAMAN-SPECTROSCOPY; GAN; CRYSTALLINITY; IMPROVEMENT; RELAXATION; QUALITY; SILICON; ALN;
机译:在多孔SiC衬底上外延生长GaN时失配应力松弛的机理
机译:消除应力松弛纳米多孔GaN模板中的螺纹位错以实现高质量GaN生长
机译:用于应变松弛GaN生长的纳米多孔GaN模板的制备和表征
机译:双三甲基甲硅烷基甲烷前体在多孔基质上4H-SiC的同质外延生长
机译:I.类固醇胶凝剂分子有机凝胶形成的结构和动力学。二。使用分子有机凝胶的自组装原纤维网络作为模板合成多孔二氧化硅。
机译:1°偏角的4H-SiC硅面同质外延层生长过程中3C夹杂物形成的抑制
机译:在多孔SiC和GaN衬底上生长GaN