机译:HgTe中的自旋和轨道运动表面
Semiconductor Physics Institute, A.Gostauto 11, LT-01108 Vilnius, Lithuania;
机译:HgTe表面量子阱中的自旋轨道分裂
机译:轨道角动量对齐的自旋的偏心紧致二元的运动和引力波形式在自旋轨道的次先导顺序以及自旋(1)-自旋(2)和自旋平方耦合的先导顺序下
机译:形状控制的HGTE胶体量子点和四面体形状中的旋转轨道分裂
机译:在应变的HgTe表面状态下,在室温下实现高效的自旋至充电电流转换。 (受邀)
机译:第一部分:氧的电子磁共振研究 r n自由基基体的运动和相互作用 r n聚合物以及表面上的 r n第二部分:二氧化硅表面上的 r n自由基的电子自旋共振表征
机译:具有巨大自旋轨道相互作用的极性基板表面在石墨烯中产生的自旋螺旋狄拉克态:自旋电子学的新平台
机译:HgTe量子阱中自旋输运的不同自旋轨道项的指纹
机译:二维HgTe-CdTe超晶格和异质结中载流子的自旋轨道散射时间和解相位时间